《《薄膜7》》.pdfVIP

下载本文档

1
0
约5.92万字
约 52页
2015-10-15 发布于河南
举报
版权申诉

《《薄膜7》》.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

《《薄膜7》》.pdf

第七章量子结构中的电子态第七章量子结构中的电子态异质结：两种不同的材料“连接”在一起就可以形成一个异质结。异质结构：包含一个或多个异质结的材料结构。最简单的异质结构只包含一个异质结。半导体、金属、绝缘体等大量材料都可以用来制备优质的异质结。例： SiO /Si异质结，界面缺陷非常少 2 III-V化合物异质结 GaAs/AlGaAs, GaInAs/InP, GaInAs/AlInAs,GaSb/AlSb, GaN/AlN, InN/GaN II-VI化合物异质结 CdZnSe/ZnSe, ZnSTeSe/ZnSSe 光电子、微电子广泛采用异质结调制能带结构，实现能带剪裁 2 2 例：几种半导体异质结构能带图 GaSb E EE C (a) CC (b) (c) AlGaAsAlGaAs GaAsGaAs E V InAs EE VV (d) (e) (f) (g) (h) (i) (a)(b):单异质结 (a) (b): 单结异质结构 (c):单量子阱 (a) (b): 单结异质结构 (c) (e): 双结异质结构 (d):多量子阱 (c) (e): 双结异质结构 (f): 四结异质结构 (e):单势垒结构 (f): 四结异质结构 (d) (g) (h) (i): 多结异质结构 (f): 双势垒结构 (d) (g) (h) (i): 多结异质结构 (g):多势垒结构 (h): I 类超晶格 3 3 (i): II类超晶格根据能带的不连续性，可以分为 EE CC I型 AlGaAsAlGaAs GaAsGaAs