激光溅射沉积后硒化制备CIGS薄膜.pdf

1007-4252(2011)05-0500-05 激光溅射沉积后硒化制备CIGS薄膜 李丽丽 丁铁柱 何杰 韩磊 内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室， 内蒙古大学物理科学与技术学院，内蒙古呼和浩特010021 摘要：采用脉冲激光溅射沉积法(PLD)制备了Cu-In-Ga双层预制膜，通过固态源硒化后热处理 的方法获得了CuInl-xGaxSe2(CIGS)薄膜，研究制备预制膜的工艺参数以及热处理温度对CIGS 薄膜特性的影响。采用台阶仪、SEM、EDS、XRD和紫外分光光度计研究了薄膜的厚度、表面形貌、 成分、物相结构以及光学带隙。得到了制备具有较好光学性能CIGS薄膜的优化条件为：Cu、In、Ga 的原子含量比为nCu/(nIn+nGa)=0.98，nGJ(nIn+nGa)=0.28，硒化温度250℃，硒化时间60min， 热处理温度为550℃，在此优化条件下得到的薄膜光学带隙为1.43eV，XRD表明CIGS薄膜是单一 黄铜矿薄膜。 PLD；CuIn1-xGaxSe2；热处理温度 TM615 A PreparationofCIGSthinfilmsbythepulsedlaser depositionmethodandpost-selenization LIli-li DINGtie-zhu HEjie HANlei 2011-03-28 2011-05-27 内蒙古自治区自然科学基金项目(2010Zd01)，内蒙古自治区高等学校科学研究项目(NJ09002) 作者简介：李丽丽 （1982-），女，硕士研究生，从事薄膜太阳电池研究. 丁铁柱，呼和浩特市内蒙古大学物理科学与技术学院 501 502 范围。 processesusingN2gas[J].SolarEnergyMaterialsSolar Cells,2005,89(2-3):129-137. @@[4]ZHENGGuang-fu,YANGHong-xing,MANCheuk- ho,WONGWing-lok,ANDa-wei,JohnBURNETT. ANovelSemiconductorCIGSPhotovoltaicMaterialandThin -FilmEDTechnology[J].ChineseJournalofSemicon ductors,2001,22(11):1357 @@[5]赵宗彦.X射线与物质结构[M].安徽大学出版社， 2004,174-178.