ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究.pdfVIP

EPE 电子工业专用设备 · 技术与设备· EquipmentforElectronicProductsManufacturing CMP ULSI制备中多层布线导体铜的 抛光液与抛光技术的研究 1 1 1 2 刘玉岭,李嘉席 ,檀柏梅 ,梁存龙 河北工业大学 天津 ; 河北冀雅电子有限公司 河北 石家庄 (1. , 300130 2. , 050071) 摘 要:提出了在碱性浆料中 多层布线导体铜化学机械抛光的模型 对铜 所需达到的 ULSI , CMP 平面化、选择性、抛光速率控制、浆料的稳定及洁净度、抛光液成分的优化选择进行了实验研究。 关键词:化学机械抛光;多层布线;甚大规模集成电路;铜浆料 抛光液 ( ) 中图分类号:TN30512 文献标识码:A 文章编号:1004-4507(2007)10-0017-05 CMPStudyofMultilayerWiringConductor CopperinULSIManufacturing 1 1 1 2 LIUYu-ling,LIJia-xi,TANBai-mei,LIANGCun-long (1.HebeiUniversityofTechnology,Tianjin300130,China;2.HebeiJiyaElectronicLimitedCompany,Shijiazhuang050071,China) Abstract:AmodelforcopperCMPinalkalinepolishslurryisintroducedinthepaper.Alotofstudy onthebestchoiceforthecomponentsofcorrespondingpolishslurry,theglobalplanarization,theselec- tive,thecontrolofpolishrate,thestabilityandpurenessofthepolishslurryrequiredbycopperCMP havebeenmade. Keywords:CMP;Multilayerwiring;ULSI;Copper;Slurry 1 引 言 CMP技术是唯一能对亚微米器件提供全局平面化 [1，2] 的技术 。 随着 IC工艺的发展以及DRAM和逻辑器件 在ULSI的多层布线中层间引线正在由传统的 的微型化大容量的要求,器件向着立体化、多层布 铝转向铜。因为铜的电阻率低,电迁移阻率高,器件 线结构发展。布线的每一层平整度均要求 φ200mm 寿命更长,且器件的RC(阻容)及时间特性都优于 在 100nm以内,才能保证高成品率、高可靠性。而 传统的铝,更加适合高频器件和大功率器件。采用 收稿日期: 2007-10-08 作者简介: 刘玉岭，男,教授,博士生导师,1963年毕业于南开大学化学系,主要从事集成电路及基础材料的工艺技术研究, 在半导体材料加工、硅外延材料的制备、硅.硅键合新技术、IC衬底材料的杂质与二次缺陷的控制等方面取得多项 成果,获国家发明