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2015-09-30 发布于湖北
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年月 2OO1 9 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUC ORS Sep . 2OO1 一种新的梳状基区功率晶体管 RF 周蓉张庆中胡思福电子科技大学微电子科学与工程系成都 ( 61OO54D 摘要给出一种新的功率器件结构梳状基区结构在不增加本征集电结面积的情况下该结构能显著改善 : RF - . RF 功率晶体管散热特性增大器件的耗散功率和输出功率较好地缓解了传统结构中高工作频率与大输出功率之间的矛盾模拟分析表明采用该结构器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的以上器件的大电流 . 9O % 特性和频率特性也有所改进采用该技术制作的试验样管同传统结构器件相比其热电特性得到显著的 . DC 375 改善这种结构为新型超高频微波大功率管的研制开辟了新途径 . ~ . 关键词梳状基区散热雪崩击穿功率管 : ; ; ; EEACC : 255OE ; 256O ; 256OB 中图分类号: N 323 ; N 3O5. 94 文献标识码: A 文章编号: O253-4177(2OO1D O9-1197-O5 针对上述情况本文给出一种新的器件结构即 1 引言梳状基区结构[2 3] . 本文以NPN 型器件结构为例详细分析梳状基区结构的组成和特点模拟分析和 . 射频功率晶体管的特性除了受到材料以及工艺试验结果均表明该结构不仅改善了器件的散热特制作水平的限制外最为重要的是器件结构的影响