InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响.pdf

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2015-09-30 发布于湖北
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InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响.pdf

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第35卷第6期发光学报 V01．35No．6 2014年6月 CHINESE OFLUMINESCENCEJune．2014 JOURNAL Article ID：1000-7032(2014)06-0637-06 EffectofStrainDerivedfromEmbeddedInAs DotsonThe of Quantum TransportProperties Two-dimensionalGasin Modulation-doped TIAN Hai—ta01一，WANGLu¨，WENCai3，SHIZhen—WUl， SUN Wen—xinl，CHEN Qing—lin91，GAOHuai-ju2，WANG Hon91 Matter National Condensed (1．BeijingLaborut00for Physics，Institute∥’Physics，ChineseAcadem)’ofSciences，Being100190，China Electrical and 300387，China； 2．Departmentof EngineeringAutomation，TianjinPolytechnicUnivensit)，Tianjin 3．School ExtremeConditionsMatter ofScience，blboratoryJot Properties， Southwest and UniversityofScienceTeehnolog)，Mianyang621010，China) 女CorrespondingAuthor，E—mail：1wang@aphy．iph’．ac．cn of InAs the oftwo—dimensional Abstract：Effect embeddingquantumdots(QDs)ontransportproperties gas(2． a DEG)in AIGaAs／GaAsheterostructurewas withdifferencethickness modulation-doped investigated．Samples to2-DEGwere molecularbeam measurementsshow themob- (瓦)fromQDslayer preparedusing epitaxy．Hall that with ofT thedecrease theelectronconcentrationshowsasametrend．Straindistribu． ilitydropsdramatically h，and tionshave of beenmeasuredmeans