2.5-10Gbs光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数.pdfVIP

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2015-09-30 发布于湖北
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第卷第期半导体学报， 22 6 Vol .22 No .6 年月， 2001 6 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS June 2001 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 2 . 5—10Gb/ s 光发射机驱动电路HEMT IC 中器件模型参数 1 2 1 高建军高葆新吴德馨（中国科学院微电子中心，北京） 1 100029 （清华大学电子工程系，北京） 2 100084 摘要：对高速调制器驱动电路HEMT IC 中器件参数进行了研究，着重讨论了HEMT 器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响，给出了满足电路性能要求的器件参数范围；对2 .5—10Gb/ S PHEMT IC 光驱动电路进行了计算机仿真，眼图模拟结果表明满足 — 高速光纤通信系统需要 2 .5 10Gb/ S . 关键词：高速光集成电路；光发射机；驱动电路；HEMT 器件模型参数 EEACC：2560S；1290 中图分类号：文献标识码：文章编号：（） TN386 A 0253-4177 2001 06-0800-06 1 引言 2 器件模型参数最佳设计与传统的相比，高电子迁移率晶体管图给出了中（）的 MESFET 1 SPICE GaAS MESFET HEMT （）具有截止频率高、跨导大、噪声低等特点，而大信号等效电路模型，由本征部分和源、漏、 HEMT STATZ 且与、相比，的低电压供电工作可以栅寄生电阻组成 BJT HBT HEMT . 获得低功耗的集成电路，目前已广泛应用于高速光［，］纤通信系统中的外调制驱动电路中1 2 . 超高速大容量光纤通信系统速率商用水平已经［］达到，而实验室水平达到了 3 ，