MOCVD制备的ZnO薄膜及其在太阳电池背电极应用.pdfVIP

下载本文档

1
0
约2.16万字
约 6页
2015-09-30 发布于重庆
举报
版权申诉

MOCVD制备的ZnO薄膜及其在太阳电池背电极应用.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

MOCVD制备的ZnO薄膜及其在太阳电池背电极应用

第 26 卷　第 12 期半　导　体　学　报 Vol . 26 　No . 12 2005 年 12 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Dec . ,2005 MOCVD 制备的 ZnO 薄膜及其在太阳电池背电极应用陈新亮　徐步衡　薛俊明　赵　颖　张晓丹　耿新华 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 , 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 , 光电信息技术科学教育部重点实验室 , 天津　30007 1) 摘要 : 研究了利用 L PMOCVD 技术制备的不同B 掺杂浓度对 ZnO 薄膜的微观结构和光电特性影响. 对 XRD 和 SEM 的研究结果表明 ,B 掺杂对 ZnO 薄膜的微观结构有重大影响. 通过优化工艺 ,当 B2 H6 流量为 17 sccm ( 约 1 % ) Ω 掺杂浓度时 ,在 20cm ×20cm 大面积衬底上生长出厚度为 700nm ,方块电阻为 38 / □,透过率大于 85 % ,迁移率 2 ( ) 为 178cm / V ·s 的绒面结构 ZnO 薄膜. 其应用于太阳电池背反射电池后 ,可使电池短路电流提高将近 3mA ,使 20cm ×20cm 面积的 aSi 集成电池效率高达 909 %. 关键词 : MOCVD ; ZnO 薄膜 ; B 掺杂 ; 背电极 ; 太阳电池 PACC : 6855 ; 7280 E ; 8115 H 中图分类号 : TN 304054 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) ( 并降低成本 ;此外 ,ZnO 可以阻挡金属背电极元素如 ) + [7 ] 1 　前言 Ag 或 Al 向n 层的扩散 ,改善界面及电池性能 . 目前生长 ZnO 薄膜的方法很多 ,包括脉冲激光 ( ) ( ) ZnO 是 Ⅱ Ⅵ族具有纤锌矿结构的直接宽带隙沉积 PL D ,分子束外延 MB E ,金属有机物化学 ( ) ( 化合物半导体材料 ,