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降低原材料成本 本文反映结束！ 谢谢大家观看！ 同步糖化发酵工艺 ，能耗下降30% 晶体管结电压的典型值 例: 在下图电路中, UCC = 6V，RC = 3k?，RB = 10k?, ? = 25，当输入电压 UI分别为 3V、1V和 ?1V时，试问晶体管处于何种工作状态？ 解: 晶体管饱和时的集电极电流近似为 晶体管刚饱和时的基极电流为 (1) 当UI= 3V时 晶体管处于饱和状态。 解: 晶体管饱和时的集电极电流近似为 晶体管刚饱和时的基极电流为 (2) 当UI= 1V时， 晶体管处于放大状态。 (3) 当UI= ?1V时，晶体管可靠截止。 例: 在下图电路中, UCC = 6V，RC = 3k?，RB = 10k?, ? = 25，当输入电压 UI分别为 3V、1V和 ?1V时，试问晶体管处于何种工作状态？ 14.5.4 主要参数 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成共发射极电路时， 注意： 与? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICEO 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 由于晶体管的输出特性曲线是非线性的，只有 在特性曲线的近于水平部分，IC随IB成正比变化, ? 值才可认为是基本恒定的。 1. 电流放大系数? ， 例：在UCE= 6 V时，在 Q1 点IB = 40?A, IC =1.5mA； 在 Q2 点IB = 60 ?A, IC = 2.3mA，试求 和?。 在以后的计算中，一般作近似处理 ? = 。 解：在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 2. 集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO 3. 集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ICEO受温度影响大。温度?? ICEO?，所以IC也相应增加。晶体管的温度特性较差。 4. 集电极最大允许电流 ICM 5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极电流IC上升会导致晶体管的? 值的下降,当? 值下降到正常值的三分之二时, 集电极电流即为 ICM。 当集?射极电压UCE 超过一定的数值时，晶体管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C,基极开路时的击穿电压为U(BR) CEO。 6. 集电极最大允许耗散功率PCM PCM取决于晶体管允许的温升，消耗功率过大,温升过高会烧坏晶体管。 PC ≤ PCM = IC UCE 硅管允许结温约为150?C，锗管约为70?90?C。 ICM U(BR)CEO IC UCE O ICUCE = PCM 安全工作区 由三个极限参数可画出晶体管的安全工作区。 晶体管参数与温度的关系 1. 温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优于锗管。 2.温度每升高1?C，UBE将减小?(2~2.5)mV，即晶体 管具有负温度系数。 3. 温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 第14章 半导体器件 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 双极型晶体管 14.2 PN结及其单向导电性 14.1 半导体的导电特性 14.6 光电器件 14. 6 光电器件 符号 14.6.1 发光二极管(LED) 当发光二极管加上正向电压并有足够大的正向电流时，就能发出一定波长范围的光。 目前的发光二极管可以发出从红外到可见波段的光,它的电特性与一般二极管类似。 发光二极管的工作电压为1.5 ~ 3V, 工作电流为几至十几微安(节能灯发展方向)。 发光二极管主要用于显示电路, 常用的有2EF等系列。 发光二极管 (LED) 14.6.2 光电二极管 光电二极管在反向电压作用下工作。当无光照时, 和普通二极管一样, 其反向电流很小, 称为暗电流。当有光照时，产生的反向电流称为光电流。照度 E越强，光电流也越大。 常用的光电二极管有2AU、2CU等系列。光电流很小， 一般只有几十微安， 应用时必须放大。 I/?A U/ V E=0 E1 E2 (a) 伏安特性 (b) 符号 E2 E1 通过光电二极 管可将光信号 转换成电信号 14.6.3 光电晶体管（光敏三极管） 光电晶体管用入射光照度E的强弱来控制集电极电流。当无光照时, 集电极电流 ICEO很小, 称为暗电流。当有光照时, 集电极电流称为光电流，一般约为零点几毫安到几毫安。 常用的光电晶体管有3AU