多晶材料晶粒生长的MonteCarlo计算机模拟方法_模拟异常晶粒生长.pdfVIP

多晶材料晶粒生长的M on te C a rlo 计算机模拟方法 模拟异常晶粒生长 钟晓征, 陈伟元, 王豪才, 郑　军 电子科技大学CA E 中心, 四川 成都 6 10054 摘　要: 　晶粒生长的显微结构的演化是一种受诸多因素影响 来表示。定义晶粒间的这种相互作用为 的复杂过程。前文已简述模拟二维正常晶粒生长所采用的基本 NN E = - J ( - 1) (5) ∑ s s i j 蒙特卡罗( ) 方法。异常晶粒生长的最直接原因是总 ij M on te C a rlo [6 ] 体系能的改变。而导致体系能变化的因素很多。本文在重点分析 其中的各参数定义如前文。运用M e trop o lis 算法 来实现晶粒 由于晶界能和迁移率的各向异性引起体系能量变化的基础上, 生长的模拟。具体过程参见前文。 介绍模拟异常晶粒生长的基本方法, 为解决如何将实际生长环 异常晶粒生长的模拟原理同上, 但是, 最关键之处在于体系 ( ) 境复杂性引入生长模型中及如何进一步模拟生长的问题提供重 能量的表达式在式 5 的基础上有所变化。体系能量的改变是引 要思路。 起异常晶粒生长的最直接原因, 而这种改变与许多因素密切相 关键词: 　计算机模拟; 蒙特卡罗( ) 方法; 异常晶粒 关。诸如杂质、应力、对材料进行择优取向等因素都将使生长环 M on te C a rlo 生长 境变复杂, 从而带来生长的各向异性。当材料结构不是很复杂 时, 通常认为边界迁移率和驱动力对边界运动速度的影响最主 1　引　言 要,