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2015-09-24 发布于湖北
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熔盐电解SiO2C直接制备SiC纳米线.pdf

第29卷第12期无机化学学报 V01．29No．12 CHINESE OFINORGANICCHEMISTRY 2543．．2548 2013年12月 JOURNAL 熔盐电解SiOJC直接制备SiC纳米线赵春荣杨娟玉卢世刚★ (北京有色金属研究总院，北京 100088) 复合阴极，在900℃熔融盐CaCl：．中，恒槽压2．0V下电解，制备出碳化硅纳米线。采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电成、形貌、微观结构等进行了表征。结果表明：碳化硅纳米线呈立方晶体结构，其直径为4．13nm，长可达数微米；室温下该纳米线在415nm和534 nm附近有宽的发光峰。最后，讨论了碳化硅纳米线的生成机制。关键词：SiC纳米线；电解还原；二氧化硅；酚醛树脂中图分类号：TQl29 文献标识码：A 文章编号：lOOt-4861(2013)12-2543—06 DOI：10．39690．issn．1001-4861．2013．00．371 ofSiC NanowiresDirectElectro-reduction Preparation by of PelletsitnMoltenSalt Si02／C ZHAO YANG Juan-YuLU Chun．-Rong Shi—Gang+ ResearchInstitute 0General for 100088．。China) No币FrO／／BMeta／s，Beiing Abstract：Siliconcarbidenanowireswere resincarbonandnanometer synthesizedbymixingformaldehyde silicon Si／C cell of2．0Vinmolten at900oC．The dioxide(atomicratio，1：1)under CaCl2 voltage morphology， structureandchemical ofthe electro—reductionmethodwerecharacterized compositionsamplespreparedby by field-．emissionelectron electronic scanning microscopy(FE—SEM)，transmission microscope(TEM)，High- resolutiontransmissionelectron withelectron microscopy(HRTEM)coupledenergydispersive