过渡金属mn离子掺杂半导体纳米晶研究进展.pdfVIP

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( ) 年 月 重庆师范大学学报 自然科学版 2012 7 Jul.2012 第 卷 第 期 ( ) 29 4 JournalofChon in NormalUniversit NaturalScience Vol.29 No.4 gq g y : : / DOICNKI50-1165N1115.015 过渡金属 Mn离子掺杂的半导体纳米晶研究进展* , 12 2 3 , , 郑金桔 曹 盛 黄金霞 ( 宁波工程学院 机械工程学院; 宁波工程学院材料工程研究所, 1. 2. ; , , ) 浙江 宁波 315016 3.白城师范学院 土木工程学院 吉林 白城 137000 : 、 , 摘要 过渡金属掺杂的纳米材料具有高效 稳定和可调谐的可见 近红外发射光谱的特点 尤其是由于大的斯托克斯 - , 。 位移而抑制了发光材料自吸收的问题 已经成为光学材料中一个重要的分支 回顾了关于Mn离子掺杂纳米晶研究 。 “ ” ; 进展中的几个关键问题 得到晶核掺杂和生长掺杂方式相比于传统的 一锅法 在制备方式更有优势 从回顾关于 , Mn掺杂机理上的各种解释和在宿主纳米晶中引入大量的掺杂剂所面临的困难中 得出要获得掺杂浓度可控的量子 , 、 、 、 点需要考虑纳米晶表面自清洁效应 纳米晶形状 晶体结构 晶面 表面活性剂以及 Mn离子与宿主阳离子的尺寸差 ; , 别引入的晶格压力等关键因素 利用理论和实验深刻解释了Mn离子的发光机理 指出宿主到 Mn离子的高能量转 。 、 , 移速率是获得高效的Mn离子发光的关键因素 通过对掺杂量子点的制备 掺杂机理以及发光机理的综合探讨 为 制备掺杂浓度和掺杂位置可控的光学性能优良的掺杂量子点方面的研究提供参考。 : ; ; ; 关键词 掺杂 半导体纳米晶 掺杂纳米晶 光学性能 中图分类号: 文献标志码: 文章编号: ( ) TM23

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