磁控共溅射法沉积的硅量子点SiN x薄膜的光谱特性.pdfVIP

３５ ，７　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 V ol.３５ ，N o .７ ， １７７０‐１７７３ pp ２ ０ １ ５ ７ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Spectroscopy and Spectral A naly sis July ，２０１５ 　 SiNx １ ，２ １ １ １ １ * ３ ，　 ， ， ， ， １ ．，， 　 ６５０５００ ２ ． ， 　 ６３５０００ ３ ．Depart ment of Phy sics and A st ro no my ， U niver sity of T oledo ， T oledo ， O H ４３６０６ ， U S A 　 　 Si （１００） SiNx 。 ，１ ０５０ ℃ ，SiNx 。 Fou‐ rier 、 Raman 、 X 。 ：Fourier Si— N ，SiNx ；２００ ℃ ，Si— Si ，X Si （１１１）Si （３１１），；（３００ ℃ ）， ；３００ ４００ ℃ ３ ， ，； ３００ ４００ ℃ ３.５ ３.４ nm 。 SiNx ，。 　 Si ；SiNx ；； ：O４８４.５ 　 　 ：A 　 　 　 DOI ：１０.３９６４／.issn.１０００‐０５９３（２０１５）０７‐１７７０‐０４ j SiNx 　 。 　 　 。 SiNx ， ， 。Raman ，X ［１］ ， （ razing incident X‐ray diff raction ，GIXRD ），Fourier g 。 ， （Fourier transform inf rared ， FT IR ）（ ho‐ p 。 ， toluminescence ，PL ） ，。 ，SiNx 。 ［１‐３］ 。 ［４］ ： 、 １ 　 ［５］ ［６］ 。 ， 　 　 JCP‐４５０ ， ［４］ 。 SiNx Si （１００）SiN x 。 。