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电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响.pdf
:
游小刚 等 电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响 08129
文章编号: ( )
1001-9731 2014 08-08129-05
电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响∗
, , , ,
游小刚 谭 毅 李佳艳 石 爽 郭素霞
( , )
大连理工大学 材料科学与工程学院 辽宁 大连 116024
: 。
摘 要 研究了电子束注入对多孔硅吸杂效果的影 子束有着快速热处理与电场效应的双重作用
。
响 采用电化学腐蚀方法利用双电解槽在单晶硅片上
实 验
2
。
制备多孔硅 电子束注入以后多孔硅的微观形貌发生
, , ,
了变化 通过 3 min 的电子束注入处理 硅片的电阻率 制备多孔硅的原材料为 型高纯单晶硅 电阻率p ρ
, · , ( ) 。
发生了明显的改变 大于相同条件下经过快速热处理 为0.0083 Ω cm 晶向 100 厚度500 m 依次用丙
μ
, 、 , ,
的硅片的电阻率 这充分证明了电子束注入有热效应 酮 乙醇和去离子水对单晶硅片进行清洗5 min 随后
[11-13]
, 。 ,
与电场效应的双重作用 对去除杂质 有一定的效果 利用电化学腐蚀的方法制备多孔硅 实验装置如
B
。 。 ,
电子束注入时间对去除杂质的效果有一定的影响 图 所示 在双电解槽装置中 样品被放置在铂电极1
: ; ; ; , 。
关键词 多孔硅 电子束注入 吸杂 电阻率 之间 在阳极形成多孔硅 电化学腐蚀溶液为
40%
中图分类号: 文献标识码: 的乙醇溶液( 与 的体积比为 )。
TG1 A HF HF C H OH2 5 1 ∶1
:
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