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LVDS
LVDS
用电容实现LLVVDDSS连接交流耦合的设计分析
关键字: 电容 交流耦合 LVDS
LVDS(低压差分信号)是物理层数据接口标准,由TIA/EIA-64和IEEE1596.3标准定义,
主要为在平衡阻抗可控的100Ω介质上实现高速、低功耗和低噪声点对点通信而设计。与其
它差分信号标准一样,LVDS由于消除了电磁辐射,它比单端信号辐射的噪声要低得多。同
时外部噪声作为共模信号耦合到两条线上,被作为共模信号抑制掉,因此它的抗噪声能力比
单端信号要强得多。另外,LVDS驱动器的输出采用电流驱动方式,与其它差分信号标准中
电压驱动相比较,它减少了地线回流,消除了浪涌电流。降低电压摆幅(只有±350mV,PECL
是±800mV,RS-422是2V)使LVDS能达到与PECL(800Mbps)等同的数据速率,而功耗只有
PECL的十分之一。
LVDS的高速、低功耗和低噪声特性使其成为电信和网络设备的背板互连、3G蜂窝电话
基站中机架内部的互连、数字视频接口等应用的理想选择。除上述优点外,LVDS串行器和
解串器(图1)还为系统设计节省了大量的空间和金钱。采用这种方案可以把互连密度降低5
倍,在3G及其它具有大量板卡的通信应用中,节省大量的空间和费用。
使用电容实现LVDS数据连接的交流耦合有很多益处,比如电平转换、去除共模误差以
及避免输入电压故障的发生。本文不仅介绍了电容的适当选型,也为和终端拓扑提供指导,
同时也讨论了共模故障分析的问题。
LVDS逻辑输入是众多现有逻辑标准的一种。只要信号源可以为LVDS输入提供足够的
幅度,典型值为差分100mVVp-p,采用交流耦合就可以提供所需的电平转换。图2描述了一
个负压ECL逻辑经交流耦合后将信号转换到LVDS逻辑的电路图。
优化共模电压
交流耦合LVDS的另外一个优点是允许接收IC设置其最优的共模电压。图3展示了一个
典型的LVDS输入电路。一个通常为1.2V的内部参考电压为两个高阻端接电阻提供偏置。如
果输入是交流耦合,接收IC可以将允许共模电压设置为内部的偏置电平。
过压保护
LVDS信号在汽车电子的串行解串器(SerDes)链路中总是采用交流耦合,因为这种配置
可以防止汽车电池短路。对于任何通过电源配线槽的信号线,一个基本要求是必须能够忍受
与电池电压短路而不损坏。采用交流耦合的LVDS链路,当耦合电容充电到电池电压时,仅
仅会有一个短暂的大电流脉冲。电流的幅度峰值是短路时实际阻抗的函数。电流毛刺的持续
时间是耦合电容以及LVDS输入输出保护结构的函数。虽然SerDes链路在短路时并不工作,
但当短路故障解除后可恢复工作。
图1:串行器-解串器典型应用电路。
图2:ECL-LVDS电平转换配置。
图3:LVDS输入偏置电路。
图4:LVDS端接电路。
电容选择
有以下几个因素影响到电容的选择。
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11.参数值
LVDS链路交流耦合电容的选择与一系列的参数相关,包括:输出驱动电平、输入门限
电平、负载阻抗、电缆长度、最长的脉冲周期。
标准的 LVDS输出驱动电平通常定义为最小250mV,且输入电平门限定义为最大
100mV。因此,确保有效电平值的最大的衰减量为:
换句话说,由直流电阻产生的衰减、交流衰减以及电容耦合衰减的总合必须小于8dB。
两端差分负载阻抗通常为100Ω,分析电缆长度时需要同时考虑电缆的交流和直流衰减以及
连接器阻抗导致的衰减。最后,还必须考虑数据本身,LVDS连接可以传输的最大脉冲宽度
取决于工作频率和数据传输协议对连续1(或0)的数量限制。
对于具体应用,精确的计算可能过于棘手,也可以简单选用0.1uF电容,能够满足大多
数应用的要求。当数据速率降到10MHz以下或采用更长的电缆时(例如5米),需要重新核
实电容值,也可以通过计算、仿真或实际测量获取电容值。
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22.电压和介质
电容的工作电压应远大于出现故障状况时的最大峰值电压。在汽车电子应用中,峰值故
障电压是18V。一般不需要将故障条件下的电压加倍,例如:将电池电压加倍或考虑甩负载
电压。
使用X5R、X7R或类似介质的电容,避免使用那些电压或温度系数有明显变化的介质电
容,如Y5V或Z5U。
端接拓扑
端接拓扑可以从三个主要电路中选择:(1)纯差分,(2)中心抽头差
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