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用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化,浓硫酸钝化,铁在浓硫酸中钝化,铁和浓硫酸钝化,铝在浓硫酸中钝化,浓硫酸的钝化,硫酸钝化,铁与浓硫酸钝化,铝在浓硫酸钝化的浓度,铁与浓硫酸钝化方程式
第 20 卷第 11 期 半 导 体 学 报 . 20, . 11
V o l N o
1999 年 11 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S N ov. , 1999
用 - 效应研究
Franz Keldysh
GaA s 表面硫化学钝化
廖友贵 金 鹏 李乙钢 张存洲 潘士宏
(南开大学物理系 天津 300071)
梁基本
( 中国科学院半导体研究所 北京 100083)
摘要 硫钝化是一种比较有效的钝化 表面的方法. 本文使用 、 和
GaA s N a S S C l CH CSN H
2 2 2 3 2
( + )
三种化学试剂对表面本征层重掺杂层 结构的 样品进行了钝化, 利用光调制反射
s i n GaA s
谱观察到许多个 振荡, 测量出本征层的电场强度, 研究了 表面硫钝化前后
F ranz Keldysh GaA s
费米能级的变化, 并且比较了各种钝化方法的钝化效果.
: 8160 , 7865, 7320
PACC C
1 引言
近年来利用分子束外延( ) 生长的表面本征 + (或 + ) 结构 + (或 + ) , 同时
M BE n p S IN S IP
利用光调制反射谱( ) 的 效应( ) , 可以精确地确定半导体表面层中的
PR F ranz Keldysh FKE
[ 1 ]
电场强度, 为研究各种表面和界面问题提供了一种比较简便的方法 . GaA s 表面的硫钝化
处理能够有效地减小表面态密度和表面复合速率, 改善器件的特性, 是一个受到广泛关注的
研究课题. H ildeb randt 等曾用 FKE 方法研究过掺杂 GaA s 的硫钝化, 采用( ) 水溶液
N H 4 2 S
作钝化剂, 发现费米能级的钉扎位置向价带顶位移 038eV , 表面态的分布作了相应的移
[ 2 ] + [ 3 ]
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