硅基超薄多孔氧化铝膜的制备.pdfVIP

Huaxue 物理化学学报(Wuli Xuebao) Acta 313 February P帆一Chim．Sin．，2008，24(2)：313-316 【Note】 硅基超薄多孔氧化铝膜的制备 杨昊炜t 张璋z 段晓楠- 俞宏坤p 金庆原2 (1复旦大学材料科学系．上海200433；2复旦大学光科学与工程系，上海200433) 摘要： 将二次阳极氧化法应用于硅基铝膜的制备，在草酸溶液中得到了厚度可控的硅基超薄多孔氧化铝膜 (PAM)，厚度小于100nln．实验中记录了氧化电流随时间的实时变化曲线，发现硅衬底的氧化电流在大幅下降前 有一小幅波动．对应于AI／Si界面的氧化过程中，孔洞底部之间的残留铝岛被优先氧化，可将此作为终止铅氧化 的标志．扫描电镜(SEM)观察表明，二次氧化提高了孑L洞分布的均匀性，使得孔在一定的区域内呈现有序六角分 布．这种模板可进一步用于硅基纳米器件和纳米结构的制备． 关键词： 多孔氧化铝膜；硅基；超薄；生长机理 中图分类号：0646 FabricationofUltraThinPorousAluminaMembraneon SiliconSubstrate YANGHao—WeilZHANG DUANXiao—NanlYU JIN Zhan92 Hong—Kunl，’ Qing—Yuan2 Science,Fudan Scienceand (1DepartmentofMaterials University,Shanghai200433，P．R．China；2DepartmentofOptical Engineering，FudanUniversity,Shanghai200433，P．兄China) Abstract：Detailsofthefabricationofanultrathin alumina onsiliconsubstratewitll porous membrane(PAMl controllable than100 a anodizationofthealuminum onthesiliconsubstrate nlTI)bytwo—step deposited height(thinner inOXalicacidsolutionwererevealed．Aformationmechanismof ofthe aluminum preferentialanodizingremaining islandsintlleAl／Siinterfacewas onthebasisofthecurrent-timecurve．FE．SEMviewandcross firstlyproposed top section showedthatthenon—orderedsurfaceformedinthefirst wasetched micrographs layer anodizingprocess away， andinthesecond the ordered of