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第5章高频放大器5-3,高频放大器,高频功率放大器,高频小信号放大器,高频放大器芯片,高频功率放大器设计,高频运算放大器,高频功率放大器芯片,高频小信号放大器设计,高频宽带放大器
4.工作状态分析 (1)基本概念: 大信号的功率放大器一般采用图解法进行分析,为此就要在输出特性曲线上作出交流负载线。 由于谐振功放的集电极负载是谐振回路,且共集电极电压与集电极电流的波形截然不同,因此其交流负载线已不是直线了,是一条曲线,又称为动态线。 本章要点 1.高频小信号谐振放大器的基本原理和指标计算 RA RB RC Ia Id Ib Id Ic A D D B C Ud/2 I I Id (a) Ud/2 Ud Ia Id A D I I Ic RA RB B D C Ib Id RD (b) 将功率合成器输入输出位置交换,即可得到功率分配器。如下图所示: D A B C T2 T3 T4 T5 T6 T1 25? 12.5? 12.5? 6? 10? 10? L L 1?H 1?H 6? 1500pF 1500pF D B A C 12.5? 12.5? 1000pF 8?F +24V 输出 25? VT1 VT2 三、功率合成电路实例 左图是一个反相功率合成器的典型电路,它是一个输出功率为75W、带宽为30~75MHz的放大电路的一部分。图中,T2为反相功率分配网络,T5反相功率合成网络, T1 与T6 是1:1传输线变压器,实现平衡—不平衡转换;T3与T4是4:1阻抗变换器。 100? T2 T3 T4 T5 T6 T1 C D A B D A B C 50? 1.1? 1.1? 22? 22? 200? 200? 0.033? 0.033? 100? 100? 25? 25? 400? 200? UCC VT1 VT2 下图是一个典型的同相功率合成器电路。图中,T1为同相功率分配网络,T6为同相功率合成网络,T2、T3与T4、T5 分别是4:1与1:4阻抗变换器,各处的特性阻抗均已在图中注明。晶体管发射极接入的电阻以产生负反馈,提高输入阻抗。各基极串联的电阻,可提高输入电阻,并防止寄生振荡。D端所接的、电阻是T1 与T6的假负载电阻。 反相功率合成器的优点是:输出没有偶次谐波,输入电阻比单边时高,因而引线电感的影响减小。在同相功率合成器中,由于偶次谐波在输出端是相加的,因此输出中有偶次谐波存在。 本章小结 高频放大器是在接收机的前端,发射机的后端常用到的单元电路,包括高频电压放大和功率放大两类; 电压放大常用的是高频小信号谐振放大器主要技术指标有:谐振放大倍数;通频带;选择性等; 常用的集成中频放大器的核心器件:石英晶体的电抗特性; 功率放大器的主要作用是放大高频信号,以高效率输出大功率。主要技术指标有:输出功率;效率等 功率合成技术的应用也很广泛,主要从传输线变压器,实际的功率合成电路两方面来阐述; 2.集成中频放大器的选频特性 (1)石英晶体电特性——压电效应 (2)石英晶体的电特性。 (3)陶瓷滤波器 * iC、uBE和uCE的关系曲线,称动态特性曲线 ——即交流负载线 C B D UBE=UBB+Uim UBE=UBB UCC uCE 0 ic Uc1m A (2)动态线的作法: 三极管的输出特性曲线转上的参变量iB换成uBE,在VBB、VCC、Ucm和Ubm保持不变的情况下, 假设ωct取不同的值,根据式 可得以相对应的uBE和uCE值,从而确定输出特性曲线上的各个“动态点”,然后依次连接各个“动态点”就可以得到动态线。 C B D UBE=UBB+Uim UBE=UBB UCC uCE 0 ic Uc1m A 三点法作图: ?t=0,uBE=UBB+Uim; uCE=UCC-Uc1m 得到C点 ?t=?/2,uBE=UBB; uCE=UCC 得到 B点 ?t= ?, uBE=UBB-Uim 0---iC=0; uCE=UCC+Uc1m 得到D点 直线BC与横轴交于A点 折线CAD即为谐振功率放大器的动态特性曲线 (3)高频谐振功率放大器的工作状态 工作状态根据uBE=uBEmax, uCE=uCEmin 时,动态特性上瞬时工作点C的位置确定。 C点在输出特性放大区----欠压状态 C点在输出特性放大区和饱和区的临界点----临界状态 C点在输出特性饱和区----过压状态 uce 0 ic iC uBEmax 欠压和临界状态: iC是相同的余弦脉冲;但临界状态UC1m大; 过压状态:iC中间凹陷;UC1m较临界略有增大。 ?t uce UC1 0 RL=RLcr RL增大 RL减小 ?t 比较三种
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