第3章2010 光源与光检测器.ppt

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第3章2010 光源与光检测器

3.7 DFB和DBR激光器 3.8 调谐激光器 3.9 其他类型的激光器 3.10 激光器组件 3.11 半导体LED 3.12 光检测器 3.13 PIN 3.14 APD 习题三 1、光源:半导体LD,特点:单色性好,用于长距离传输;LED特点:单色性差,传输距离短。 2、什么叫单色光源?单色光? 所谓单色光源是指光源产生的光的波长在一个很窄小的波长范围。 3、光纤通信采用半导体光源的原因? (1)半导体光源的发光波长适合在光纤的低损耗窗口中传输。 (2)电流注入发光从而可以进行强度调制IM。 (3)半导体光源体积小,发光面积可以与光纤纤芯相比从而提高与光纤的耦合效率。 (4)可靠性强,常温下可连续工作。 (5)响应速度快,适合于高速率、大容量的光纤通信系统。 (6)结构紧凑、体积小。 (7)可采用半导体集成技术批量生产。 4、光检测器必须具备的特点? (1)光谱响应:波长与所产生的电流大小之间的关系,前提是所有的波长的光强度是一致的。 (2)响应度:光检测器产生的电流与入射到光检测器的光功率之比。 (3)量子效率:产生的光电流的电子数目与入射光功率的光子数之比。 (4)暗电流:在没有光照射下流过检测器的电流值引起暗电流噪声。 (5)时间响应:定义为光脉冲幅度从10%上升到90%所经历的时间。 (6)波长响应:定义为光检测器能响应的波长范围。 (7)截止波长:光检测器所能响应的最低波长。 (8)时间常数:由检测器PN结电容和负载电阻决定。 3.1 半导体LD的工作原理 1、原子能级的概念 原子内部的电子是处于不同的能量轨道上的, 电子在每一个这样的轨道上运动时具有确定的能量, 称为原子的一个能级。 能级图就是用一系列的水平横线来表示原子内部的能量关系的。 当原子中的电子与外界有能量交换时, 电子就在不同的能级之间跃迁, 并伴随有能量如光能、 热能等的吸收与释放。 2、电子的跃迁 考虑一个具有二能级的原子系统, 能级为E1和E2, 且E2E1, 电子在不同的能级E1和E2之间的跃迁, E1→E2 或E2→E1之间的跃迁。 会吸收或产生一个光子。 3、光与物质的三种相互作用: 自发辐射、受激吸收、受激辐射。 4、什么叫粒子数反转分布? 根据物理学原理:(1)每个原子的E1→E2的跃迁速率和E2→E1的跃迁速率是一样的。(2)正常热平衡状态下, 低能级E1上的粒子数N1是大于高能级E2上的粒子数N2的, 入射的光信号总是被吸收。 如果假设能级E1和E2上的粒子数分别为N1和N2,  N2N1。 这一条件称为粒子数反转分布。 这一条件是激光器工作原理之一。 5、半导体激光器结构与工作原理? 结构:PN结结构,如图。 原理分析: 图3.2 给出了半导体光放大器SOA的框图。 SOA实际上是一个PN结, 由下面的分析可知, 中间的耗尽层实际上充当了有源区, 当光通过有源区时, 光由于受激辐射而得到了放大。 由于放大器的增益是波长的函数, 因而放大器有源区的两端面上镀有防反射涂层(AR), 以减少放大器的带内增益波动。 而激光器没有防反射涂层(AR)。 2、半导体LD与SOA的区别是什么? LD有反射涂层,有谐振腔,而SOA没有反射涂层和谐振腔。 半导体光放大器SOA与EDFA放大器的不同在于实现粒子数反转分布的方式是不同的。 首先, 半导体SOA的粒子不是处于不同能级上的原子, 而是半导体材料中的载流子, 即电子或空穴。 半导体有两个由电子能级构成的能带: 一个是由许多能级构成的能量低的价带; 另一个是由许多能级构成的能量高的导带。 电子或空穴可以处在不同的能级上。 导带与价带之间称为禁带, 能量差为Eg, 中间不存在能级。对于一个P型半导体, 在热平衡状态下只有很少的电子位于导带中, 如图3.3 (a)所示。 类似前面的讨论, 将导带看作能量高的E2能级, 将价带看作能量低的E1能级, 这里的高低是指电子在能带上的能量。 在粒子数反转分布情况下, 导带中的电子数是很多的, 如图3.3(b)所示。 这时如有光照射, 将有更多的电子通过受激辐射从导带跃迁到价带(当然是与通过受激吸收从价带跃迁到导带的电子数相比), 实际上这就是半导体光放大器产生光增益或粒子数反转的条件。 半导体的粒子数反转分布可以通过对PN结加正向偏压来实现。 PN结由P型和N型半导体组成。 P型半导体是在半导体中掺入合适的原子, 如III

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