Co籽源的研制.pdfVIP

　第34卷增刊 原 子 能 科 学 技 术 Vol. 34 ,Suppl. 　2000年9月 Atomic Energy Science and Technology Sep. 2000 57 Co 籽源的研制 陈宝军 , 许书河 , 张洪建 , 李大康 ( 中国原子能科学研究院 同位素研究所,北京　102413) 57 γ 摘要 :研究了电镀法制备 Co 低能 放射源的制备工艺。在直径 1 mm 的活性面上制备了 74 MBq 57 的 Co 放射源。钴的沉积率大于 80 % 。 关键词 : 电镀;57 Co ;籽源 中图分类号: TL929 　　　文献标识码 :A 　　　文章编号 :(2000) S0016503 57 Co 籽源由源芯和源壳 2 部分构成。源芯的制备方法有陶瓷吸附法、化学镀法、电镀法、 真空镀膜法等。电镀法制备源芯的工艺简单 ,操作方便。既使小批量的生产和实验研究 ,也可 [1 ] 57 用来进行大量生产。关于钴的电镀 , 已有了成熟的工艺 ,用电镀法制备 Co 放射源已有文 [2 ] ( 2) 献报道 ,但由于源的用途不同 , 以前制备的放射源一般是面积较大 1 cm 的放射源 ,而在 57 57 直径 1 mm 的面积上电镀 Co 制源的报道尚未见到。本实验以铜片为基体材料 ,对电镀 Co 制源的工艺进行研究。 1 　仪器与试剂 试剂 : H BO 、NaCl 、CoCl ·6H O 均为分析纯 ,57 Co 料液 ;仪器 :酸度计、精密天平等。 3 3 2 2 2 　电镀条件 2 1 　镀片的预处理 铜片加工成规定尺寸后 ,先用水超声清洗铜片表面的灰尘 ,然后在碱液中加热除去铜片表 面的油污 ,清洗后将铜片放入稀硫酸中进行浸蚀和活化 ,除去铜片表面的氧化皮和锈蚀物 ,露 出新鲜的金属层。活化后的铜片用水清洗干净后装入镀槽中用于电镀。 2 2 　电镀 为了确定最佳的电镀条件 ,首先用稳定钴进行了电镀条件实验。镀液中钴含量为 1 g/ L , H BO 含量为 40 g/ L ,NaCl 的含量为20 g/ L 。在电镀槽中加入 1 mL 镀液 ,用 NaOH 或 HCl 3 3 调节其 p H 值。插入电极 ,调节电极间距离为 1 cm ,控制阴极电流密度不变 ,分别对时间、电流 密度、p H 值对钴的电镀的影响进行实验。稳定钴的沉积效率通过称量镀层的质量来计算。 收稿日期 ;修回日期 ( ) 作者简介 :陈宝军 1972 — ,男 , 山东高唐人,工程师 ,放射源研究专业 166 原子能科学技术 　　第34卷 3 　结果与讨论 3 1 　电镀时间对钴沉积的影响 当镀液p H = 4 , 阴极电流密度J = 16 mA/ cm2 时 , 电镀时间与钴沉积的关系曲线示于图1 。 随着电镀的进行 , 钴的沉积率也随着增加 , 当电镀时间超过 6 h 后 , 钴的沉积率基本不再变 化 ,在 86 %左右。实验选定电镀时间为 6 h 。 3 2 　阴极