硅纳米线的合成及表征.pdfVIP

SEMICOND UCTOR OPTOEL ECTRONICS 　Vol . 26 No. 3 June 2005 动态综述 硅纳米线的合成及表征 裴立宅 , 唐元洪 , 陈扬文 , 张 　勇 , 郭 　池 ( 湖南大学 材料科学与工程学院,湖南 长沙 410082) 摘 　要 : 　目前已通过气液固生长机理及氧化物辅助生长等机理合成了大量硅纳米线 , 电 镜 、能量色散 X 射线分析 、X 射线光电子能谱 、拉曼光谱 、近边 X 射线吸收精细结构光谱 、IV 测 量 、光致发光 、场发射 、电子输运测量等是表征硅纳米线的有效手段 ,介绍了硅纳米线在合成及表征 方面的必威体育精装版进展 ,并对其发展做了展望 。 关键词 : 　硅纳米线 ; 掺杂 ; 表征 ; 性能 中图分类号 : TN 304 . 1 　文献标识码 : A 　文章编号 : 100 1 - 5868 (2005) 03 - 0 172 - 05 Synthesis and Characterizations on Si Nanowires P EI Lizhai , TAN G Yuanhon g , C H EN Yangwen , ZHAN G Yon g , GU O Chi ( College of Materials Science and Engineering , Hunan University , Changsha 410082 , CHN) Abstract : 　At p re sent , a great quantit y of Si nanowire s are synt he sized by VL S growt h mechani sm and o xidea ssi st ed growt h mechani sm . Si nanowire i s eff ectively st u died by elect ro n micro scop y , ener gy di sp er sive Xray analy si s , Xray p hotoelect ron ener gy sp ect rum , Raman sp ect r um , near edge Xray ab sorp tion fine st r uct ure sp ect r um , IV , p hotolumine scence , fiel d emi ssion and elect rical t ran sp ort mea surement . The recent p ro gre ss on t he synt he si s an d charact erizatio n s of Si nanowire s are int ro duced and develop ment p ro sp ect i s al so forecact ed . Key words : 　Si nanowire ; dop ing ; charact erization ; p rop ertie s 1 　引言 电子显微镜 、拉曼光谱 、X 射线衍射分析 、近边 X 射 线吸收精细结构光谱 、电子输运 、光致发光特性及场 半导体纳米线在基础研究及纳米器件的应用方 发射的研究均有报道 ,为实现硅纳米线的应用奠定 面具有很大的发展潜力 ,引起了研究者的广泛兴趣 , 了良好的理论基础 。硅纳米线由于自身所特有的光 并已成功制备出了多种半导体纳米线 , 如 Si 、Ge 、 学 、电学性质以及高表面活性引起了科技界的广泛 SiC 、Si