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第 卷第 期 Vol.45,No.1 45 1 真 空 VACUUM 年 月 Jan.2008 2008 1 低温多晶硅薄膜的制备工艺研究 杨定宇,蒋孟衡,杨 军 成都信息工程学院光电技术系,四川 成都 610225) ( 摘 要:低温多晶硅薄膜是制备高性能薄膜晶体管的首选材料,由其制成的薄膜晶体管由于在平板显 示器件驱动中所展现的优越性能而受到广泛关注。本文系统介绍了低温多晶硅薄膜的三种制备方法— 金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法和电感耦合等离子体化学气相沉积法的原理和研究进展,比 较了它们之间各自的优缺点,最后对该领域的发展前景进行了展望。 关键词:低温多晶硅薄膜 金属诱导横向晶化 准分子激光晶化 电感耦合等离子体化学气相沉积 ; ; ; 中图分类号: 文献标识码: 文章编号码: TN304 A 1002-0322(2008)01-0041-04 Researchonpreparationprocessesoflow-temperaturepoly-siliconfilms , , YANGDing-yu JIANGMeng-heng YANGJun (ChengduUniversityofInformationTechnology,Chengdu610225,China) Abstract:Thelow-temperaturepolycrystallinesiliconthinfilms(LTPS),asthefirstchoiceforthefabricationofthinfilm transistor(TFT),haveattractedmoreandmoreattentionrecentlybecauseofitsexcellentperformanceforflatpaneldisplay. DescribessystematicallytheworkingprincipleandRDofthethreepreparationprocessesofLTPS,ie.,themetal-induced lateralcrystallization (MILC),excimerlaserannealing(ELA)andinductivelycoupledplasmaCVD (ICP-CVD),withtheir advantagesanddisadvantagescomparedwitheachother.Anoutlookforthethreeprocessesismadeinrespecttotheir applicationsanddevelopmentsinLTPS-TFT. Keywords:LTPS;MILC;ELA;ICP-CVD 低温多晶硅薄膜( )由于具有较高的电 硅、多晶硅和氢化非晶硅各自的迁移率及结构 LTPS 子迁移率而在液晶显示器( )和有机电致发 特征。 LCD 光显示器 (OLED) 的驱动中引起了业界的广泛 重视,已被视为实现低成本全彩平板显示的重 要材料基础。目前,基于低温多晶硅的薄膜晶体 管(LTPS-TFT),就如何进一步提高其响应速度 和开关电流比已成为研究的主要方向之一。提 高低温多晶硅 TFT性能的方法是增大晶粒尺寸 和改善晶粒间界的平滑性,同时改进
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