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三氯氢硅合成炉尾气的治理
第6期 中国氯碱 No6
2007年6月 ChinaChlor一Alkali Jun.，2007 39
三氯氢硅合成炉尾气的治理
王小辉，何佳华
(唐山冀东氯碱有限公司，河北 唐山063021)
摘 要:介绍了治理三氯氢硅合成炉尾气的方法，并进行了比较。
关键词:三氛氢硅;尾气;治理;方法
中图分类号:TQll4.26+2 文献标识码:B 文章编号:1009一1785(2007)06一0039一02
Harnessoftailgasoftrichlorosilanesynthesisfurnace
W通刀召Xiao一hui，HEJia--hua
汀angshanjidongChlor一alkaliCo.，Ltd.，TangshanO63021，China)
Abstract:Themethodoftailgashamessoftriehlorosilanesynthesisfornacewereintrodueedandcompared.
Keywords:trichlorosilane;tailgas;harness;method
1三氯氢硅合成工艺 高原料的利用率，还可以降低三废的排放量。为了合
三氯氢硅合成的基本反应式为51+3HCI二 理治理尾气，必须根据尾气的特性、成分、压力等，选
SIHC13+HZ。在三氯氢硅合成过程中，氯化氢的转化 择适当的工艺流程和技术条件。
率一般为80%，有约20%的氯化氢未参加反应。生 3 治理
成的三氯氢硅气体，在冷媒温度为一40℃冷凝器中， 3.1 治理原理
冷凝效率为85%左右，约巧%的三氯氢硅气体未冷 三氯氢硅合成尾气的主要成分是氯化氢和氢
凝。未冷凝的三氯氢硅气体、低沸物、未参加反应的 气，占尾气的94.4%，其余是少量的三氯氢硅和二氯
氯化氢、氢气等组成尾气。尾气中含有大量的氯化 二氢硅等。虽然三氯氢硅的沸点为31名℃，很易被
物，如果处理不当必定会对环境产生不良的影响。 冷凝，但是它在尾气中的体积分数仅为5.4%。按照
三氯氢硅合成工艺流程图见图1。 道尔分压定律，气体混合物的总压等于混合气体中
硅粉 每种气体的分压之和，经计算，在尾气压力为0.11-
0.12MPa时，其分压仅为0.00594一0.(X)648MPa。如
此低的分压在常温或不太低的温度下，很难被冷凝。
三氯氢硅饱和蒸气压与温度的关系为:
P
19不一丁万万一=7.838一1503lT
图1 三抓氮硅合成工艺流程图 U 。IJJ
2合成炉尾气特性 式中刃一三氯氢硅饱和蒸气压，kPa;
三氯氢硅合成尾气各主要成分的体积分数分别 2‘温度，K。
当尾气中三氯氢硅的分压为0.00594~0.00648
为，HC130%;H:64.2%;SIHC135.4%;其他0.2%。
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