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CaMgSi2O6Eu的真空紫外光谱特性.pdf

第27卷,第5期 光谱学与光谱分析 2OO and 7年5月 SpectroscopySpectralAnalysis May,2007 CaMgSi206:Eu的真空紫外光谱特性 周 丹,何大伟+,侯涛 ]E京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京100044 了其结构特性、光谱特性。caMgsiz06:Eu3+属于单科晶系,基质掺入Eu离子后结构没有明显变化。 D0—7F2跃 CaMgSi206:Eu3+在147m真空紫外光激发下呈红色发射,发射主峰位于611衄,是Eu3+的5 迁的典型发射。当Eu3+的相对摩尔浓度在o.02到o.10mol之间变化时,由相关数据可以发现有浓度猝灭 m,是Eu2+的 现象发生。caMgsi:06:Eu2+在172nm真空紫外光激发下呈蓝色发射,发射主峰位于452 5d一4厂跃迁的典型发射。添加不同浓度的HsB03后可大大提高样品的发光强度。 关键词 caMgSi206:Eu;等离子显示屏;真空紫外 中图分类号:0614.3文献标识码:A 文章编号:1000—0593(2007)05一0978一04 测,其中激发光谱由水杨酸钠校正。 引 言 2结果与讨论 为了获得高清晰度大屏幕等离子平板显示器,除了驱动 电路以外,最重要的是发光材料,即性能比较好的荧光粉。 2.1 X射线分析 而荧光粉的发光就是依靠在电压的作用下变为等离子状态的 CaMgSi206的粉末x射线衍射谱及结构图[2]如图1所 惰性气体的激发而来的。在PDP中惰性气体的发射波长位 示,由图1可见,其数据与JSPDS标准卡符合得较好。同时, 于真空紫外,其主要的发射波长为130,147和172nm[¨。众 基质掺入激活离子后结构没有明显变化,这表明在该实验条 件下,可以合成晶体结构为单斜晶系的硅酸钙镁石结构。依 所周知,zn2si04:Mn2+作为绿色荧光粉在真空紫外的激发 下有很好的发光效率的稳定性。基于这一性质,我们选择了 据泡利定则,因为Eu离子和Ca离子的半径比较接近,所以 以硅酸盐为基质的荧光粉进行研究,在此文中我们合成了发 Eu离子进入晶格只是取代了基质中Ca的晶格位置,而不是 Mg的晶格位置。 06:Eu2+荧 红光的CaMgSi206:Eu抖和发蓝光的CaMgsi2 光粉,并对样品的真空紫外区激发光谱及相应的发射光谱进 2.2 c螂i206:E一+真空紫外激发光谱 图2是监测611 06:Eu计的真空紫外激 行了探讨。 m时CaMgSi2 发谱,可以看到这个激发谱包括3个宽的谱带,峰值分别位 2实验 于130,168和217 胁,这是基质吸收带[3]。这2个谱带强度相对比较强。另外 采用高温固相反应法制备样品。按一定的摩尔比称取相 一个峰值位于217m的吸收带是电荷迁移吸收带,这个吸

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