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AlxGa0.51-xIn0.49P光学性质的研究.pdf
第 卷第 期 半 导 体 光 电
21 2 Vol . 21 No . 2
年 月
2000 4 Semiconductor O toelectronics A r . 2000
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文章编号： （ ）
1001 - 5868 2000 02 - 0111 - 04
Al! Ga0 .51 - ! In0 .49 P 光学性质的研究
1 1 1 1 2 2 2 3
连 洁 ，张淑芝 ，卢 菲 ，魏爱俭 ，黄伯标 ，崔德良，秦晓燕 ，王海涛
（ 山东大学 光电系，济南 ； 山东大学 晶体材料所，济南 ； 山东大学 环境工程系，济南 ）
1. 250100 2 . 250100 3 . 250100
摘 要： 用 方法在 衬底上生长了 的本征及掺 或掺 三个样品。
M OCVD GaAs AlGaInP Si Mg
用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数，并求其介电函数的三级微商谱。用三点
比例内插法分析介电函数的三级微商谱，精确地得到样品的带隙 、 以及 以上成对结
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构跃迁的能量位置，并对其结果加以分析。同时与沟道分析等方法相结合对材料的性能进行了鉴
定。
关键词： 半导体薄膜技术；椭偏光谱；三点比例内插；能带隙
中图分类号： + ； 文献标识码：
T N304 . 2 3 T N304 . 055 A
Study on 0ptical Properties of Al! Ga0 . 51 - ! In0 . 49P
1 1 1 1 2
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LIAN Jie ZHANG Shu-zhi L U Fei WEI Ai- ian HUANG Bo-biao
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