宽带可调谐激光器和电吸收调制器的单片集成.pdfVIP

第十五屠全国化合物半导体．微波器件和光电器件掌术寺议 广州’08 宽带可调谐激光器与电吸收调制器的单片集成 赵玲娟，刘泓波，潘教青，周帆，边静，朱洪亮，王圩 (中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室，北京10083) 摘要：光网络正在向高速大容量、良好的扩展性和智能化的方向发展。 宽带可调谐器件以及组件将是构建智能光网络的基石。 宽带可调谐半导体激光器由于具有可单片集成性、纳秒级的调谐速度、体积小、功耗低等优点，备受关注。本文采用低压金属 有机物化学汽相淀积(b10CVO)选择fx，域外延和量子阱混杂技术相结合的方法，研制了宽带町调谐激光器和电吸收调制器的荦片 集成器件，输出功率3．6mW器件的波长调谐范围达30nm，边模抑$lJLg大于30dB，在整个调谐范围内电吸收调制器的消光比大于 14dB。 关键词： 可调谐激光器，电吸收调制器，量子阱混杂，选取外延牛长 中图分类号：TN248．4 文献标识码： 文章编号：OED．020 MonoI i thi CI i onof I ed(]rati DBRWi th ntegratSamp ng EI i onModuI atorCombi ni ectroabsorpt by ng SeI ecti ve—Area—GrowthMOCVD I I andOuantum—WeI ntermi Xi ng Lingjuan Zhao，Hongbo Pan，Fan Zhu，Wei Liu，JiaoqingZhou，JingBian，HongliangWang fKeyLaboratoryofSemiconductorMaterials,Institute Box 100083 ofSemiconductors，ChineseAcademyofSciences,PO912,Beijing PeoplesRepublicofChina) Abstract：This the paperpresentsmonolithicintegrationofa distributed witha sampled—gratingBraggreflector(SG—DB鼬laser quantum‘wellelectroabsorption chemical modulator(QW-EAM)bycombiningselective-area-growth(SAG)metal—organic vapor deposition(MOCVD)andquantum·well thefLrSttime．The andthe sectioncanbe intermixing(QWi)forQW-EAMgain grown SAGMOCVD simultaneouslyusing offersan betweentwo by technology．Meanwhile．theQWItechnology abruptband·gapchange fu