DMSO体系中Bi-Sb二元薄膜温差电材料的电沉积制备.pdfVIP

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201 3年海峡曲Hj(卜海)lU了1U镀及表面处理学术交流会论义集 蘩 DMSO体系中Bi.Sb二元薄膜温差电材料的电沉积制备 李菲晖+,巩运兰,张弘青,耿瑛,徐亚伟,黄亚娟,王佳丽 (天津商业大学,理学院,天津,300134) 摘要:采用循环伏安曲线以及稳态极化曲线的测试方法分析了二甲基Ⅱ砜有机溶液中纯Bi、 纯sb以及Bi.Sb二元体系在Ti基体上的还原过程。结合分析结果采,L}j直流恒电位方式电沉积制备 了Bi.Sb二元薄膜温差电材料并采用x射线衍射以及塞贝克系数测试对不同电压下制备山的Bi-Sb 二元薄膜温差电材料的物相结构及性能进行了表征。实验结果表明,在Ti基体上Bi抖、Sb”离子的 氧化还原均为不可逆过程,前者的阴极还原过程仅由离子扩散造成,而后者的还原过程涉及到了离 子的吸附,二者沉积电位接近,共沉积过程是一步完成的。对制备山的材料的物相以及性能的分析 结果表明电沉积制备出的材料确为Bi—Sb二元合金,随着沉积电位的负移,温差薄膜电材料的表面 变得粗糙,在不同电位卜沉积出的材料均为P型温差电材料,塞贝克系数随电位变化不人。 关键词:薄膜温差电材料;电沉积;Bi.Sb合金;有机体系;DMSO film ofBi—Sbthermoelectricthin Electrodeposition materialsinDMSO system LiFei—hui,GongYun—lan,WangZheng,ZhangHong—qing of of of Commerce, (DepartmentChemistry,SchoolScience,TianjinUniversity Applied Tia啦in300134,P.R.China) Abstract:Thereduction ofBi.Sbunit andtheBi—Sb werestudied processes system binarysystem by and curveonTi the results.Bi—Sb cyclicvoltammetrysteady—statepolarization base.Combininganalysis the thermoelectricthinfilmswereelectrodeDosited mode.Thestructureand alloy bypotentiostaticphase test. ofthe filmswerecharacterizeddiffractionandSeebeckcoefficient performancesprepared byX—ray the ofbothBi”andSb”ionswereirreversibleonTibase.the Theresultsshowedthat redox process reduc

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