介电限域效应对SnO_2纳米微粒光学特性的影响.pdfVIP

第 卷 第 期 物 理 化 学 学 报 , , 一 年 月 , ’ 介 电限域效应对 纳米微粒光学特性 的影 响 余保 龙 吴 晓春 邹炳锁 张桂 兰 汤 国庆 陈文 驹 南开大学现代光学研究所, 天津 关钮词 介 电限域效应, 纳米徽粒 , 表 面修饰 半导体纳米微拉作 为 一种新兴材料 , 在声、 光 、 电、 磁 、 热及催化等方 面 显示 出全新 的异于 体相 材料 和 分 子 或 原子 的特性 , 在理论 和 实脸上 已 引起人们 极大 的兴趣 , 当纳 米微粒 的尺 寸接近 或 小 于 激 子玻 尔半径 时, 表现 出 明显 的量 子 尺 寸 效应 , 其表观光 学能 隙 变 大 , 一 些 半导体拉 子如 , 等纳 米微 拉 的量 子 尺 寸效应 已经被人们 利 用有效质 量 , , , 近似模 型做 了定性解释 , 但是 由于纳米微拉尺 寸小 具有相 对 大 的表 面积 因而 拉 子 周 围 的介质 可 以强 烈 地影响 它们 的光 学性质 , 我们 采用胶休化学方 法 , 对 介 电常数 为 半导体纳米微拉表 面进行 一 系列化 学修饰 , 即在其表 面 包覆不 同介 电常数 的表 面 活性 剂分子 , 由于 这些活 性 荆分子 介 电常数 远 小 于 介 电常数 , 因而 包覆后将 产生 明显 的介 电限域 效应 瓜 本文 通过 测 量表面化 学修饰后 的