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掺氮类金刚石薄膜的制备及其结构表征.pdf

第 卷第 期 Vol.45,No.1 45 1 真 空 VACUUM 年 月 Jan.2008 2008 1 掺氮类金刚石薄膜的制备及其结构表征* 1 1 1 1 2 王淑占 ,李合琴 ,巫邵波 ,赵之明 宋泽润 , ( 合肥工业大学,材料科学与工程学院,安徽 合肥 中国电子科技集团公司 研究所 安徽 合肥 ) 1. 230009;2. 43 , 230022 摘 要:采用射频磁控反应溅射法, 气为溅射气体, 气为反应气体,用高纯石墨靶在 ( )片上制备 Ar N Si100 2 了掺氮类金刚石薄膜,采用 射线光电子能谱( )、拉曼光谱( )、扫描电子显微镜( ),表征了 X XPS Raman SEM 掺氮类金刚石薄膜的微观结构、表面及截面形貌。Raman光谱结果表明,制备的掺氮类金刚石薄膜中含有 特征峰 峰和 峰 分别位于 -1、 -1均向低波数段频移,具有典型的类金刚石结构特 D G , 1339.2cm 1554.6cm 征; 光谱的 和 的芯能级证实了薄膜中的碳氮进行了化合,形成了 — 、 、 ,说明薄膜 XPS C1s N1s C NC=NC≡N 中形成了非晶碳氮结构;同时 SEM结果表明实验所制备的薄膜表面均匀、致密、光滑,从截面照片观察,薄 膜与衬底结合紧密,薄膜的厚度大约为 150nm。 关键词:射频磁控反应溅射 ;掺氮类金刚石薄膜 ;拉曼光谱 ; 射线光电子能谱 ;扫描电子显微镜 X 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: TB43;O484 A 1002-0322(2008)01-0064-04 PreparationofDLC:Nthinfilmsandtheirstructurecharacterization 1 1 1 1 2 WANGShu-zhan,LIHe-Qin,WUShao-bo,ZHAOZhi-ming,SONGZe-yun (1.SchoolofMaterialScienceandEngineering,HefeiUniversityofTechnology,Hefei230009,China; 2.ChinaElectronicTechnologyGroupCorporationNo.43ResearchInstitute,Hefei230022,China)

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