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纳米氧化锡的制备及其研究进展.pdf
10 : # 9# 高赛男, 袁高清 , 廖世军 (华南理工大学 化学科学学院, 广东广州 510640) : 、, 、, , 。 : ; ; ; : TB383 : A : 1003- 3467( 2005) 10- 0009- 04 Th e P r ep ar a tion and R esear ch P rogr ess of N an om eter T in D ioxide GAO Sa i- n an , YUAN G ao- q in g , L IAO Sh i- un ( In stitu te of Chem ist y , South Ch inaUn ive sity of Technology , Guangzhou 510640, China) Ab str act: The d iffe ent m ethods fo p ep a ation of nanom ete t in dioxide a e eviewed acco ding to the classification of gas phasem ethod, liqu id phasem ethod and solid phasem ethod. Mo eove , the advanta2 ges and disadvan tages of va iou sm ethods a e int oduced b iefly. Thei deve lopm ent in the futu e is fo e2 casted. K ey w ord s: nanom ete tin dioxide ; esea ch p og ess; powde ; thin fiml 1 2. 1. 1 氧化锡是一种宽带系半导体材料, 带宽范围为 高能机械球磨法是利 球磨机的转动或振动, 3. 6~ 4. 0 eV。它 途广泛, 在有机合成中, 可 作 对原料进行强烈的撞击、研磨和搅拌。该方法制得 催化剂; 在陶瓷工业中, 可作为釉料和搪瓷乳浊剂。 的产物产量高、工艺简单, 但晶粒尺寸不均匀, 易引 [ 1] 由于小尺寸效应及表面效应, 纳米氧化锡具有特殊 入杂质。Cuk ov 等 以氯化亚锡、碳酸钠为原材 的光电性能和气敏性能, 在气敏元件、半导体元件、 料, 氯化钠为稀释剂, 在惰性气氛下, 球磨 3 h, 得到 电极材料及太阳能电池等方面有着潜在的应 。 了平均粒径为 24 nm、主要构成为四方相纳米氧化 目前, 纳米氧化锡薄膜、纳米带、纳米棒、纳米线 锡粉末, 同时还存在着一些斜方晶的氧化锡; 将粉末 及纳米花等材料的制备方法与纳米氧化锡粉体的制 超声分散到水中得到的浆液, 通过旋转涂层法涂层 备大同小异, 但在制备薄膜材料时, 无论采 何种方 到单晶硅基片上, 得到平均粒径约为 34 nm 的氧化 法, 都需要一个基片作为衬底, 常 的基片材料有单 锡薄膜。 晶KB 片、玻璃、铝片和硅片等。本文对近年来不 2. 1. 2 [2] Xu 等 把一定比例的 SnCl # 2H O、Na C O 、 同方法制备纳米氧化锡微粒的过程、原理和制备条
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