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辐照对锂陶瓷材料电导率的影响.pdf
第32卷第5期 原 子 能 科 学 技 术 . 32, . 5 V o l N o 1998年9月 A tom ic Energy Science and T echno logy Sep. 1998 辐照对锂陶瓷材料电导率的影响 毛世奇 ( 中国原子能科学研究院同位素研究所, 北京, 102413) . . . . . . A N K ru tiakov E I Saun in V V Grom ov (俄罗斯科学院物理化学所, 莫斯科) 研究了辐照对含锂陶瓷材料电导率的影响。在 100—900 ℃范围内研究材料的电导率大小顺 序为 ≈ 。研究结果表明: 这些材料的电导率与材料表面的辐照 L iA lO L i ZrO L i SiO L i SiO 2 2 3 2 3 4 4 损伤和杂质有关。辐照损伤导致电导率明显下降。 关键词 陶瓷材料 电导率 辐照 中图法分类号 1311 571436 TQ O 研究辐照对 、 、 和 电物理性质的影响对其作为裂变堆和 L iA lO 2 L i2 SiO 3 L i4 SiO 4 L i2ZrO 3 聚变堆产氚材料有着重要的意义[ 1, 2 ]。含氧锂化合物的电导率取决于锂离子在材料中的迁移 [ 3 ] 率。在直流电场对材料的离子电导率的研究有助于评价离子的扩散迁移率 。根据电导率与温 度的关系可评价L i+ 的质量传递参数和不同类型辐照对它的影响。它对这些材料使用条件的 选择十分重要。 1 实验条件和结果 [ 2 ] 采用碳酸盐工艺固相合成法制得 2、 2 3、 4 4 和 2 3。用伏安法 研究 L iA lO L i SiO L i SiO L i ZrO ( 17 这些材料的电导率与温度的关系。样品经反应堆热中子辐照 中子注量分别为 4 3 ×10 、 18 - 2 ) ( 8 ) 4. 3 ×10 cm 或经 1M eV 的电子加速器辐照 照射剂量为 13 ×10 Gy 。在 100—900 ℃范 (
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