表面光电压技术在Si外延过程中的应用.pdfVIP

与 显微测量微细加工技术设备 、 、 Microscope ，Measurement ，Microfabrication Equipment 表面光电压技术在 外延过程中的应用 犛犻 ， １２ ２ １ ， ， 赵丽霞 张鹤鸣陈秉克 （河北普兴电子科技股份有限公司，石家庄 ； １． ０５０２００ 　 西安电子科技大学微电子学院，西安 ） ２． ７１００７１ 　 摘要：介绍了用表面光电压（）法测试少数载流子的扩散长度、少子寿命和体 含量的基 ＳＰＶ Ｆｅ 本原理及其计算方法，分析了三种常见外延结构中少子扩散长度的测试方法及其影响因素，得出 了用于表面光电压测试的外延片及衬底片应满足的条件。提出了在外延工艺前后，用 法测 ＳＰＶ 试同一型控片中少子的扩散长度和体 含量，对比前后值的大小来监测外延工艺过程中的 ｐ Ｆｅ Ｓｉ 沾污情况。分别给出了衬底片、石墨基座、 、 、外延腔体等种 外延过程中最常 ＨＣｌＳｉＨＣｌ ５Ｓｉ ３ 见沾污源的监控和识别流程，特别以平板式外延腔体为例，具体说明了识别及排除 沾污所运 Ｆｅ 行的工艺程序，并对 沾污的测试结果进行了分析，确定了 沾污的来源。 Ｆｅ Ｆｅ 关键词：表面光电压；少数载流子；扩散长度；寿命；外延；衬底 中图分类号： ； ； 文献标识码： ＴＮ３０４．１２ＴＮ３０４．０５４ＴＮ３０４．０７ Ａ 　 　 文章编号： （ ） １６７１－４７７６２００９０６－０３６６－０５ 犛犘犞犃犾犻犮犪狋犻狅狀犻狀犛犻犾犻犮狅狀犈犻狋犪狓犻犪犾犘狉狅犮犲狊狊 狆狆 狆 ， １２ ２ １ ， ， ＺｈａｏＬｉｘｉａＺｈａｎＨｅｍｉｎＣｈｅｎＢｉｎｋｅ