M57962 IGBT驱动厚膜.docVIP

K57962 IGBT驱动器 一、原理框图： 二、特点： 单管大功率IGBT模块驱动器。 M57962的改进型，管脚与M57962完全兼容，缺省参数也基本相同，可以直接代换。 可按默认值直接使用，也可根据需要调节保护盲区区时间、软关断的速度、故障后再次启动的时间。 三、应用： 可驱动IGBT 300A/1200V或 600A/600V 一只 四、外形尺寸： 五、电性能参数： 除另有指定外,均为在以下条件时测得:Ta 25℃,Vp 24V,Vcc 15V，Fop 50KHz,CL 100nF 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 辅助电源电压 1 Vp 20 24 27 V 电源电流 Iio CL 0 25 Iil CL 100n 150 mA 输入脉冲电压或电流幅值（2） Vpwm 4.5 5 5.5 V Ipwm 9 10 12 mA 输出电压 3 Voh Rg 2ΩCL 100nF 13.5 14.5 14.5 V Vol -7.5 -8.5 9 V 输出电流 Iohp Fop 20KHzTon 2μS 5 A Iolp -5 A 输出总电荷 Qout 2000 2800 nC 绝缘电压 Viso 50Hz/1 min 3500 Vrms 工作频率 Fop 0 60 KHz 占空比 δ 0 100 ％ 最小工作脉宽 Tonmin 0.8 μS 上升延迟 Trd Rg 2Ω 0.3 0.6 μS 下降延迟 Tfd 0.4 0.7 μS 上升时间 Tr Rg 2Ω,CL 100nF 0.6 0.8 μS 下降时间 Tf 0.5 0.7 μS 保护动作阈值（4） Vn 9 V 保护盲区 5 Tblind 2.5 μS 软关断时间 6 Toff Vp 24V 2.5 μs 故障后再启动时间（7） Trst Vp 24V 1.5 10 mS 输出故障信号电流 Iflt 5 10 mA 故障信号延迟 Tflt 50 nS 共模瞬态抑制 CMR 30 KV/μS 工作温度 Top -30 90 ℃ 存储温度 Tst -50 120 ℃ 注：1. 驱动器的工作电压Vp＝Vcc+Vee，推荐24V。Vcc一般取15V。2. 输入的TTL 5V信号电平时可直接连接，如信号的高电平Vim高于5V，应在输入端串连一个电阻Ri和电容Ci，Ri使输入电流为Ipwm，即Ri Vim－Vpwm /Ipwm ＝ Vim－5 /10mA；Ci 470pF。3. 输出负压值与工作电压Vp有关，Vol Vp-15。4. 触发过流保护动作时的1脚对IGBT发射极的电压。当1脚IGBT的发射极的电位升高到9V时启动内部的保护机制。5. 检测到IGBT集电极的电位高于保护动作阈值后到开始软关断的时间。因为各种尖峰干扰的存在，为避免频繁的保护影响开关电源的正常工作，设立盲区是很有必要的。表中数据是在1脚输入斜波信号作为模拟的集电极电压时得到的；对于工作中的突然短路故障，实际的盲区时间要比表中数据略大1μS左右。在2、4脚间接一个电容Cblind可以调大盲区时间，关系为Cblind/Tblind nF/μS ＝0/1.6，1/2.2，2.2/2.9，3.3/3.6，4.7/4.2。为安全起见，用户调试使用时可以先接比预算值稍小的电容，提高保护灵敏度。6. 驱动脉冲电压降到0电平的时间。在10、6脚接一个电容Coff，可加大软关断时间，在Vp 24V时的关系为Coff/Toff nF/μS ＝0/2.8，2.2/3.5，4.7/4.5，10/6.5。软关断开始后，驱动器封锁输入PWM信号，即使PWM信号变成低电平，也不会立即将输出拉到正常的负电平，而要将关断过程进行到底。软关断开始的时刻，驱动器的8脚输出低电平报警信号，可以接一个光耦，将信号传送给控制电路。7. 短路故障发生后，驱动器软关断IGBT，如果控制电路没有采取动作，则驱动器再次输出驱动脉冲的间隔时间。在6、9脚接一个电容Creset，可延长再次启动的时间，在Vp 24V时的关系为Creset/Trst nF/mS ＝0/1.45，1/2.9，2.2/4.7，4.7/8。电容Creset不宜超过6.8nF。 六、应用连接图： 1. 普通使用，可以不接Cblind、Creset、Coff，5V信号输入时不必接Ri和Ci。2. 滤波电容Cc、Ce、Cp可用22～47μF电解电容，再并联一个1μ以上的CBB无感电容，耐压Cc、Ce 25V，Cp 35V。3. 选取故障输出光耦的串联电阻R2时，要考虑到