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AVR106 读写 Flash程序空间的 C函数 翻译：吕益光 AVR AVR AAVVRR应用笔记 AVR106 Flash C AVR106 Flash C AAVVRR110066 读写 FFllaasshh程序空间的 CC函数 翻译：吕益光 2006 年 6 月 8 日 lvyiguang@163.com 1. 1. 11.. 特性 � 访问闪存的 C 函数 � 字节读取 � 分页读取 � 字节写入 � 分页写入 � 可选电源失效时恢复 � 可以用于任何带有自编程存储器功能的 AVR单片机中 � 使用 Flash存储参数的例程 2. 2. 22.. 简介 近来的 AVR芯片有一个特性称为自编程。这一特性使得 AVR能够在程序运行期间对闪 存重新编程，并且适用于那些需要自升级固件或是在闪存中存储参数的应用。本应用笔记提 供闪存空间访问的 C函数。 8KB程序存储空间的微 控制器 实现 ATmega128 用于存储参数的120KB 数据闪存 图 1 使用闪存部分来存储参数的完整应用举例 3. 3. 33.. 工作原理 本节包含关于 AVR自编程存储的一些基本理论。为了更好的理解自编程的所有特性， 请查阅数据手册或“AVR109Self ProgrammingFlash”应用笔记。 第 1 页 共 9 页 AVR106 读写 Flash程序空间的 C函数 翻译：吕益光 3.1 SPM 3.1 SPM 33..11 使用 SSPPMM 利用存储程序存储器指令（SPM）可以对闪存编程。在具备自编程特性的设备中程序存 储器主要分为两个部分：应用程序闪存区和引导闪存区。 在含有引导模块的设备中，SPM 指令具备对整个闪存空间写入的能力，但它却只能从 引导区执行。从应用程序区执行 SPM 将没有任何作用。在那些没有引导区的小一点的设备 中，SPM 指令是能够从整个存储区执行的。 在闪存向引导区写入的过程中 CPU 总是挂起的。然而，在（闪存）向应用程序区写入 的过程中，大部分的设备还是可以从引导区执行代码（进行读操作）的。值得注意的是在向 应用程序区写入的过程中执行的代码并不再试图对应用程序区进行读操作。如果这一事件 （写入的同时进行读操作）发生，那么整个程序的执行将被中断。 这两个存储区域的大小和位置依赖于设备本身及其合并设置。一些设备具备从整个闪存 空间执行 SPM 指令的能力。 3.2 3.2 33..22 写入过程 闪存是一页一页的被写入的。待写入的数据在被写进闪存以前，先整页的送到页面临时 缓冲区。数据要被写到闪存的哪一地址，是由 Z寄存器和 RAMPZ 寄存器中的内容决定的。 相应的闪存页面将使用临时缓冲区中存储的数据编程，在此以前，该页面必须被擦除。本应 用笔记中写入闪存的函数是按照如下步骤实现的： � 填充临时缓冲区页面 � 擦除闪存页面 � 写入闪存页面 正如您在以上步骤中所看到的一样，如果在一个页面被擦除后的瞬间突然发生复位或掉 电事件的话，就有可能导致数据的丢失。我们可以在软件上采取必要的防范，例如设置非易 失性存储缓冲区等，来避免数据的丢失。应用笔记中的写入函数能够在写入时提供可选的缓 冲区。这些函数在固件区作了进一步的描述。对于那些具有边读边写特性的设备，它们允许 引导区代码边写入边执行，写入函数在写入过程完成后才返回。 3.3 3.3 33..33 寻址 AVR的闪存被设计成 16位的字，这意味着每一个闪存地址能够存储两个字节