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一、判断 1、下图为各向异性刻蚀剖面。 （×） 2、 SU8光刻胶既可以作正光刻胶又可以作负型光刻胶。 （×） 3、 STM为扫描电子显微镜的缩写。 （×） 4、 纳米压印技术的创始人是富兰克林。 （×） 5、 后烘会影响有驻波效应，所以有时可以不后烘。 （√） 6、 常用的PMMA的玻璃化转变温度为100℃。 （×） 7、 显影后的AZ5214光刻胶可以采用丙酮去洗。 （×） 8、 PMMA的玻璃化转变温度是95~105℃。 （√） 9、 Poly MEMS是一种基于电活化聚合物材料的塑性MEMS技术（√） 10、等离子体化学刻蚀式各向同性的。 （√） 11、硅的各向异性腐蚀剖面中，对于（100）晶面的硅片，有四个（111）面与（100）面相交为50.74°。 （×） 二、选择 1、以下那个是光刻胶的综合指标（ D ）。 A. 灵敏度 B. 对比度 C. 曝光宽容度 D. 分辨能力 2、常用的PMMA的琉璃化转变温度是（ A ）。 A. 105°c B. 140°c C. 180°c D.100°c 3、以下那个不属于刻蚀参数 （ D ）。 A. 选择比 B. 均匀性 C. 残留物 D. 温度 4、为什么研究纳米压印技术？（ D ）。 A. 高分辨率 B. 高产量 C. 低成本 D. ABC都是 5、不是干法刻蚀的要求是（ C ）。 A. 高的选择比 B. 高的刻蚀速率 C. 化学试剂的浓度 D. 低的器件损伤 填空 1、按曝光方式分，光学曝光分为 掩膜对准式曝光（接触式（软、硬），接近式） 与 投影式曝光（1:1投影，缩小投影） 。 2、光刻胶按其形成图案的极性可分为 正型光刻胶 与 负型光刻胶 。 3、电子光学系统由 电子透镜系统 ， 电子偏转系统 和 电子枪 构成。 4、刻蚀的方法包括 化学湿法腐蚀 ， 等离子体干法刻蚀 ， 其他物理与化学刻蚀技术 无论那种刻蚀技术，都可以用 抗刻蚀比 ， 刻蚀的方向性 来考查其性能。 5、光刻胶的组成部分 溶剂（85-90%） 、 成膜树脂（树脂型聚合物，10-15%） 、 光活性物质（3-5%） 、 添加剂（＜1%） 。 6、光刻胶有哪些特性： 灵敏度 、 对比度 、 抗刻蚀比 、 分辨能力 、 曝光宽容度 、 工艺宽容度 、 热流动性 、 膨胀效应 、 粘度 、 保质期限 。（评价好坏的指标） 7、刻蚀时需要注意哪些参数： 刻蚀速率 、 刻蚀剖面 、 刻蚀偏差 、 选择比 、 均匀性 、残留物 、 聚合物 、 等离子体诱导损伤 、 颗粒沾污和缺陷 。 8、纳米压印工艺选择模板时注意哪些参数： 硬度 、 热膨胀系数 、 导热性 。 9、纳米加工技术大体可分为哪几种： 平面工艺 、 模型工艺 、 传统工艺 、 探针工艺 。 10、影响化学腐蚀速率的因素有： 浓度 、 时间 、 温度 、 搅拌 。 11、紫外压印材料的要求为： 低粘度 、 高分辨 、 快速固化 、 低收缩率 、 抗等离子体刻蚀 。 12、掩模对准式曝光有哪三种方式 接近式 、 硬接触式 、 软接触式。 13、对于（100）晶面的硅片，有4个（111）面与（100）面相交为 54.74°的夹角。 14、写出下列的英文缩写，或代表的名词 透射电子显微镜 TEM XRD X射线衍射分析 SEM 扫描电子显微镜 扫描探针显微镜 STM EBL 电子束曝光 PR 光刻胶 PDMS 聚二甲基硅氧烷 PMMA 聚甲基丙烯酸甲酯 SOI 由两层单晶硅中间夹一层二氧化硅形成的一种特殊硅片 15、纳米加工技术从结构形式上可分为 Top-down（自上而下） ，Bottom-up（自底层制造） 。 16、6电子曝光的应用领域，适用于 很小尺寸的曝光 。 17、等离子去胶： 气体O2 ；去除残留物： NO或N2O 。 18、既能做正胶，也能做负胶的是 AZ5214 。 19、正光刻胶的主要优点有 高分辨率高对比度 、 使用暗场掩膜减少曝光图形的缺陷率 、 使用水溶液显影液 、 去胶容易 。 20、极紫外光两种产生方式是 等离子体激发 和 同步辐射源 。 21、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）的主要特征 高分辨率 、 高对比度 、 高灵敏度 。 22、实现大面积压印，有 平压 和 滚压 两种方式。 23、大面积连续压印的技术难点有 压印模板的制备 、 均匀涂胶 、 动态对准 。 24、实现单晶硅的各向异性腐蚀必须用 碱类化学腐蚀液 。 25、 负 型光刻胶曝光部分被保留。 26、光刻胶的组成中核心部分是 成膜树脂