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IGBT的发展情况及特点分析.pdf
第 3 期 微 处 理 机 N o. 3
2003 年 6 月 M ICRO PROCESSORS Jun. , 2003
·综述·
IGB T 的发展情况及特点分析
张国俊, 王 刚
( 东北微电子研究所, 沈阳 110032)
摘 要 本文介绍了国外 IGBT 的发展情况及必威体育精装版动态; 分析了各种新结构技术 IGBT 的特
点; 最后预测了该器件的发展趋势。
关键词 功率半导体器件 IGBT 工艺技术
The D e ve lope d S itua tion a nd Fe a ture A na lys is Fo r IGB T
Zhang Guo jun , et al
( , 110032)
N ortheast M icroelectronics Institu te S heny ang
Abstract Ex ternal developed situation and recen t developm en ts of IGBT have been in tro
duced. Featu res of variou s new structu ral and techn ical IGBT have been analysed. T rends of the
.
device have been fo recasted
Keywords pow er sem iconducto r device, IGBT , p rocess techno logy
产品。第一代是以 50 年代出现的可控硅 SCR 为代
1 引 言
表。其优点是功率容量特别大, 目前的水平已达到
( ) 绝缘 7000 8000 。但缺点是开关速度低, 关断不可控、
IGBT In su late Gate B ipo lar T ran sisto r V A
栅双极晶体管是一种新型的电力半导体器件。现已 因强制换流关断使控制电路非常复杂, 限制了它的
成为电力电子领域的新一代主流产品。它是一种具 应用。为解决 SCR 关断的不可控问题, 70 年代出现
有M O S 输入、双极输出功能的M O S、双极相结合 了以门极可关断晶闸管 GTO 和巨型双极晶体管
(
的器件。结构上, 它是由成千上万个重复单元 即元 GTR 为代表的第二代产品。它们都是自关断器件,
)
胞 组成, 并采用大规模集成电路技术和功率器件技 开关速度比 SCR 高, 控制电路也得到了简化。目前
术制造的一种大功率集成器件。 的 和 的水平分别达到了6000 6000 、
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