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ZXT11N15DF
SuperSOT4™
15V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR
SUMMARY
V =15V; R = 37m ; I = 3A
CEO SAT C
DESCRIPTION
This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex
matrix structure combined with advanced assembly techniques to give SOT23
extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low
voltage switching applications.
FEATURES
• Extremely Low Equivalent On Resistance
• Extremely Low Saturation Voltage
• hFE characterised up to 5A
• I =3A Continuous Collector Current
C
• SOT23 package
APPLICATIONS
• DC - DC Converters
• Power Management Functions
• Power switches E
C
• Motor control
B
ORDERING INFORMATION
DEVICE REEL SIZE TAPE WIDTH QUANTITY Top View
(inches) (mm) PER REEL
ZXT11N15DFTA 7 8mm embossed 3000 units
ZXT11N15DFTC 13 8mm embossed 10000 units
DEVICE MARKING
1N5
ISSUE 1 - DECEMBER 1999
/ 1
ZXT11N15DF
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER SYMBOL LIMIT UNIT
Collector-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 15
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