VHF-PECVD沉积微晶硅薄膜的电学特性与结构特性研究.pdfVIP

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2017-08-13 发布于安徽
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VHF-PECVD沉积微晶硅薄膜的电学特性与结构特性研究.pdf

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VHF—PECVD沉积微晶硅薄膜的电学特性和结构特性研究张晓丹朱锋侯国付熊文娟孙建赵颖耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津，300071 摘要：本文研究了用甚高频等离子体增强化学气相沉积方法(VHF_PECVD)制备的不同硅烷浓度(SC)条件下的微晶硅薄膜样品。随着SC逐渐增大，样品沉积速率也逐渐增大，实验中最大速率可达20A／s；研究了样品的暗电导率及其光敏性(光电导／暗电导)随SC的变化情况．结果表明：在本实验条件中非晶／微晶过渡区发生在6％～7％之间；用室温的微区拉曼光谱进行了薄膜微结构的分析与研究，用高斯函数对其解谱分析得到随SC的增大，晶态比X。是逐渐减小的。关键词：任高频等离子体增璃化学气相沉积氢化微晶硅薄膜拉曼散射谱晶化率 7 、 X atdifferentsitane VHF—PECVDwere Abstract：samplesdeposited concentrations(SC)by morethe morethe rate，themaximumcanachieveabove studied．TheSC，the depositinn resultsofdark and of showedthatthe 20A／s．The conductivity photosensitivitysamples transitionzonetook between were 6％and7％．Inaddition，Micro—Raman place spectra to and the ofthe the used structural analyzeinvestigate propertiessamples．Decomposing Raman Gauss canbeconcludedthat volumefractionofthe by function，it crystalline spectra withthedecreaseoftheSCwas gradually samples improved． enhanced chemical frequencyplasma vapor Keywords：Veryhigh Raman microcrjstaUinesilicon(t』c-Si：H) Hydrogenated scatteringspectraCrystalline V01Limefraction 相沉积(HWCVD)及甚高频等离子体增强化学气相 1引言