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电子显微学报J．Chin．Electr．Microsc．Soc．
17(5)l539～5401998年 539
朱健民 陈 鹏沈 波朱信华 朱滔周舜华 李齐
(南京大学物理系固体微结构物理国家实验室，南京210093)
由于GaN薄膜在光电子学方面具有潜在的巨大应用前景，目前国际上对其进行了广泛的研
究，但这些应用的实现有赖于生长出高质量的GaN单晶薄膜，以便有目的地掺杂n一型和p一型。
用价值的硅作为衬底，异质外延GaN薄膜的工作所做较少，这是由于硅衬底与GaN存在有较大
的结果。
实验方法
先沿SiElTO]方向切割，然后进行机械减薄、离子薄化制备而成。电镜观测是在JEOLJEM一
4000EX
HREM电镜上完成，加速电压为400kV。
结果与讨论
合，而其中的附加斑点来源于畴界面。在界面处，电子衍射谱显示其多晶化成分较高，而在顶部
处，则单晶成分较高，这表明，在750～800
相为主妇一4．55A)这也与图1c衍射谱相一致。
结论
参考文献
[1]陈鹏，沈波．《第十一届全国半导体会议论文集》．1997年9月．第96页．
[2]Guha N 415．
Speratik，BojarczukA．Appl．Phys．Lett．，1998，7Z(4)l
[33BasuSN．J．Mater．Res．，1994，9(9)：9370．
*南京大学固体微结构国家实验室开放课题和攀登计划资助项目
电子显微学报J．Chin．Electr．Microsc．Soc．
1998难
540 17(5)t539～540
的电子衍射谱，呈现多晶组态，图1c是GaN外延层顶部的电子衍射谱，单晶化程度较高。它对
应于B-GaN[111]带轴，并伴有来源于畴界酉的附加斑点
图中所标H区域为*GaN六方相缸一3．19Ac一5．20A)．图中所标E区域为B-GaN立方相
与图1c的衍射谱相吻合
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