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2017-08-14 发布于安徽
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功率因数校正驱动保护控制 MOSFET驱动电路研究王勤肖岚严仰光南京航空航天大学(南京210016) 摘要：本文讨论了MⅨ嗣玎驱动电路的驱动要求，比较了三种MOSFET隔离驱动电路，介绍了电路的工、L 作原理。给出了实验结果。叙词：驱动电路隔离 MOSFETDriveCircuit on Research Yan of University Nanjing Wang巾Xiaolanyangguang of kindsofisolated MOSFETcircuit．1luee MOSFET discussesthe drive Ak由翟ct：This dnvins paper m甲lil卿吨m drive js and tesoltsam pd∞iplepreseakdexperimentalgivet,1． circuits日∞report．qⅫ俩on insolation circuit K印m咄：drive 有效的输入电容为： 1前言 (4) MOSFET是电压控制单极性金属氧化硅场效应晶体管，所％=薏需驱动功率很小。容易驱动。而且MOSFET只有多散载流子参总的柑极电荷：与导电，不存在少数载流子的复合时间，因而开关频率可以很口l=ispt。=cd％ (5) 高，是高频小功率变换器的理想功率器件。输人电容充放电的能量为： + 蛐0sFEI‘的输人阻抗很高，其开通和关断就相当于输人电 ‘6、 P=C《U0=Q|U’f 容充电和放电过程。M瞪蕾瓠‘的等效输人电容c-和反馈电容其中，Up是最终的栅极电压，l。H是开关转换时间，，是开 c_分别为：关频率。 c．=‘+cd (1) C。=Css L2J 动电路必须能提供足够大的电流。本文讨论了MO鲫LT对驱动 c．为橱源等效电容，随栅极电压变化。c一为栅滑等效电电路的要求，比较了三种高频调制解谓MOSFET驱动电路，介绍了工作原理，给出了实验结果。容，亦称作密勒电容。c一在栅漏电压极性改变时变化很大。它们是影响开关速度的主要因素。峰值栅极驱动电流的应足以给MOSFET较大的输入电容充 2 MOSFET对驱动电路的设计要求放电．躐小MO舒ET的转换时间和功率损耗。峰值栅极驱动电流：