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穿通型pn结二极管的击穿电压.pdf

第30卷 第10期    西 安 交 通 大 学 学 报 V ol. 30 №10  1996 年10月 JOU RNA L OF XIøA N JIA OT ON G U NIV ERSIT Y  O ct . 1996 pn 高玉民 ( , 7 1004 9, )   提出了一种确定穿通型二极管轻掺 区一系列参数的方法. 在大量数值计算基 础上, 获得了有效电离率系数随硅单边突变结轻掺 区材料导电类型和电阻率变化 的经验公式. 把这种解析方法与有效电离率参变量相结合所得结果在大电压范围内 与数值计算结果符合得相当好. pn 结二极管 击穿电压 解析方法 数值计算 T N 31 0 pn ( pin) [ 1] , V D M OSF ET [ 2] . , . , , . 1 1 + + , . p nn n n 2, . , [ 3] 1993-10 -10. , 1944 3, , . 10 pn 3 1 W x 0 Anex p( 0 ( Ap - An ) dx ) dx = 1 ( 1a) n+ pp+ , W x 0 Apexp ( 0 ( An - Ap ) dx ) dx = 1 ( 1b) An = A nex p( - bn / ûE û) ( 2a) Ap = A pex p( - bp / ûE û) ( 2b) n n p p . A b A b , . n qN E ( x ) = E1 + ( W - x ) ( 3) E0 Es n , 1 1 V R = ( E1 + E m ) W ( 4) 2 2 1 m E E V R qN W E1 = - ( 5) 0 s W 2E

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