掺氮直拉单晶硅中氧沉淀的研究进展.pdfVIP

掺氮直拉单晶硅中氧沉淀的研究进展/ 张泰生等 ·5 · 掺氮直拉单晶硅中氧沉淀的研究进展 张泰生 ,马向阳 ,杨德仁 (浙江大学硅材料国家重点实验室 ,杭州 3 10027) 　　摘要 　　掺氮直拉硅单晶近年来引起了硅材料产业界和学术界的广泛关注 。氧沉淀是直拉硅单晶缺陷工程的重 要研究课题 。对掺氮直拉硅单晶氧沉淀研究的必威体育精装版进展进行了综述 ,主要阐述了氮是如何影响直拉单晶硅中原生氧 沉淀 、后续热工艺中氧沉淀行为以及氧沉淀的形貌 。 关键词　　掺氮直拉硅单晶　氧沉淀 　研究进展 The Advance of Research on Oxygen Precipitates in NCZ Sil icon Z HAN G Tai sheng ,MA Xiangyang , YAN G Deren ( St at e Key L ab of Silicon Mat erial , Zhej iang U niver sit y , Hangzhou 3 10027) ( ) Abstract 　　In recent year s , nit rogendop ed czochral ski silicon N CZ has att ract ed int en sive att ention f rom t he indu st rial circle and academia . Oxygen p recipit ation i s an import ant subj ect of defect engineering for CZ silicon . Thi s p ap er overview s t he lat est achievement s in t he research of o xygen p recipit ation in N CZ silicon . The effect s of nit ro gen on t he formation of grownin o xygen p recipit at es , oxygen p recipit at es formed in t he sub sequent t hermal cycles and t he morp holo gy of oxygen p recipit at es in N CZ silicon are elucidat ed in det ail , t hu s t he advant ages of N CZ silicon are re vealed . Key words 　　N CZ , o xygen p recipit ation ,research p rogress 　 晶生长温度在 1420 ℃左右[ 10 ] ,在这个温度下进入硅晶格中的一 0 　引言 部分氧会随着晶锭的冷却而逐渐沉淀出来 ,形成原生氧沉淀 。 在直拉单晶硅生长的过程中 , 由于石英坩埚的熔解 ,一部分 原生氧沉淀与单晶硅中的间隙氧浓度 、点缺陷浓度 、掺入杂质的 氧通常会进入到单晶硅中 ,这些氧主要存在于硅晶格的间隙位 种类及其浓度以及单晶生长的热历史都有密切的关系 。此外原 置 。当间隙氧