形成黑斑片、黑心片主要成因.pdfVIP

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2017-08-19 发布于湖北
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形成黑斑片、黑心片主要成因.pdf

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1 形成黑心片、黑斑片主要成因汪义川、蒋仙 2008年7月16 日序： 2 蒋仙2008年 7月份技术报告我看后深受启发。我采用蒋仙报告的数据为基础，参加当前EL照片中黑心片和黑斑片的来源确认实验的讨论。 EL成像下黑心片、黑斑片的照片： 3 EL光强度和少子分布密度成正比： 4 EL照片中黑心片和黑斑片是反映在通电情况下该部分没有发出1150nm的红外光，故红外相片中反映出黑心和黑斑，发光现象和硅衬底少数载流子浓度有关。黑斑与杂质原子分布无关： 5 一般少数载流子的寿命和含污染杂质含量及位错密度有关。蒋仙作出了黑斑处边界两边（即有黑斑处和无黑斑处）杂质原子SIMS试验发现两边杂质原子含量一样，没有变化。 SIMS测试结果： B P C O Al Cr Mn Fe Ni 黑圈 2-1 1.30E+16 2E14 1e16 1.06E+18 7E13 5E12 1E13 1E13 1E14 2-2 1.31E+16 2e14 1e16 1.02E+18 7E13 5E12 1E13 1E13 1E14 黑斑 4-1 1.07E+16 1.10E+15 3.10E+16 1.31E+18 7E13 1E13 1E13 3E13 1E14 4-2 1.10E+16 1.00E+15 3.30E+16 8.7E+17 7E13 3E13 1E13 3E13 1E14 黑斑处位错密度： 6 这样少数载流子的寿命和位错密度有关，蒋仙测了单晶黑斑中心区域位错 7 2 密度10 个/cm ，如下面两张图所示： 7 中心黑斑区域，位错密度10 个/cm2 7 6 黑斑边缘区域，位错密度10 个/cm2 8 无位错密度标准≤3000个/cm2 9 6 2 黑斑边缘区域位错密度10 个/cm 均为无位错单晶要求1000～10000倍，这是相当大的位错密度了。少子扩散长度与位错密度的关系： 10 晶体硅片的扩散长度和位错密度是有联系的，用SPV （Surface Photo-Voltage ）法测得多晶硅片的扩散长度和用tash腐蚀法测得位错密度 EPD：Etch Pit Density进行比较，扩散长度DL 短的区域恰恰是EDP位错密度高的区域。（见下图）少子扩散长度与少子寿命公式：