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Vol. 32,No. 9 JournalofSemiconductors September2011 Optimization of Al O /SiN stacked antireflection structures for N-type surface- passivatedcrystalline silicon solar cells WuDawei(吴大卫) ,JiaRui(贾锐),DingWuchang(丁武昌),ChenChen(陈晨),WuDeqi(武德起), Chen Wei(陈伟),Li Haofeng(李昊峰),YueHuihui(岳会会),and Liu Xinyu(刘新宇) Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029,China Abstract: In the case of N-type solar cells, the anti-reflection property, as one of the important factors to further improve the energy-conversion efficiency, has been optimized using a stacked Al O /SiN layer. The effect of SiN layer thickness on the surface reflection property was systematically studied in terms of both experimental and theoretical measurement. In the stacked Al O /SiN layers, results demonstrated that the surface reflection propertycanbeeffectivelyoptimizedbyaddingaSiN layer,leadingtotheimprovementinthefinalphotovoltaic characteristicof the N-type solar cells. Keywords: antireflectioncoatings; aluminum oxide; silicon nitride; simulation; solar cells DOI: 10.1088/1674-4926/32/9/094008 EEACC: 2520 on the theoretical computational simulation analysis. The ef- 1. Introduction fectofemitterpassivationandthetheoreticalhighestefficiency ofp+nn+typesolarcellsextractedfromAfors-Hetsimulation TheN-type
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