Zn_2SiO_4掺杂对氧化锌压敏电阻性能的影响_黄国贤.pdfVIP

第 30 卷 第 9 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.30 No.9 2011 年 9 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Sep. 2011 研 究 与 试 制 Zn SiO 掺杂对氧化锌压敏电阻性能的影响 2 4 黄国贤，姜胜林，郭 立，张光祖，翁俊梅 （华中科技大学 电子科学与技术系，湖北 武汉 430074） 摘要: 采用普通陶瓷工艺制备了 Zn SiO 掺杂的氧化锌压敏电阻，研究了 Zn SiO 掺杂量对氧化锌压敏电阻的 2 4 2 4 致密度，晶粒微观结构，小电流性能和通流能力的影响。结果表明：当 Zn SiO 掺杂量达到 0.75% （摩尔分数）时， 2 4 氧化锌压敏电阻晶粒致密均匀；电学性能得到改善，压敏电压梯度和非线性系数分别高达 438 V/mm 和 85，漏电流 为 0.15 μA ，样品在耐受5 kA 电流下的 8/20 μs 脉冲电流波后，残压比和压敏电压变化率分别为 2.0 和 4.0% 。 关键词: 氧化锌压敏电阻；Zn SiO 掺杂；晶粒；电学性能 2 4 中图分类号: TM277 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （2011 ）09-0024-03 Effects of Zn SiO doping on the properties of zinc oxide varistors 2 4 HUANG Guoxian, JIANG Shenglin, GUO Li, ZHANG Guangzu, WENG Junmei (Department of Electronic Science and Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) Abstract: Zinc oxide varistors doped with Zn SiO were prepared by conventional ceramic technology. The effects of 2 4 Zn SiO doping amount on the density, grain microstructure, low current properties and surge absorption capability of zinc 2 4 oxide varistors were studied. The results indicate that when the Zn SiO doping amount is 0.75% (mole fraction), zinc oxide 2 4 varistor with dense and uniform grai