AVR IAP功能应用.pdfVIP

关于 AVR IAP 功能应用的几点说明和思考 作者：马潮老师 / 整理：armok / 2005-01-17/ www.OurAVR.com 以下是我在 2004 年一月在 21IC 上的帖子，现重新帖在在 OURAVR 上，供大家参考（A 区：应用程序 区。B 区：BOOTLOAD 区）。 1.A 区和 B 区的大小是可以通过熔丝位的设置改变大小的，但 RWW,NRWW 是固定的，不会改变。对于 M8 来说，B 区的大小可设置为 128、256 、512、1024 字，而 RWW/NRWW 则固定为 3072/1024 字。 2.MCU 挂起，表示 MCU“暂停”工作，即暂时停止取指令、响应中断等，待前一个硬件操作完成后再继续执行 后续的指令操作。 3.当MCU 对 RWW 区域进行页读取、写入或擦除时，一旦指令发出后，操作将由硬件自动完成（例如由硬件 将 RWW 区中的一页 32 字读到临时缓冲页中），这个操作过程需要占用一定的时间，在这段时间内，MCU 可 以读取NRWW 区中的指令并执行。这与“一边读写 RWW 区域，一边干别的什么事”是不同的概念。这同当 AVR 的硬件在做AD 转换，或 URAT 正在接收一个字节数据时，MCU 也同时执行一条指令是类似的。下面给 一个例子： a.从 UART 口读入32 个字，存入 RAM （程序在NRWW 区域的 B 区中） b.使用循环将 32 个字写入临时缓冲页中（程序在 NRWW 区域的 B 区中） c.将写入 SPMCR 寄存器，并执行 SPM 指令实施对 RWW 区中的页写入（程序在NRWW 区域的 B 区中） d1.等待 3.7ms，待页写入操作完成（程序在NRWW 区域的 B 区中） d2.或从 UART 口读入后续的32 个字，存入 RAM （程序在NRWW 区域的 B 区中）！！！ e.3.7ms 到（最好使用 SPM 中断响应）：如采用d1 此时则做 d2 ；采用d2 则直接到 f f.跳到 b ，更新RWW 中的下一页。 在这个简单的操作过程中，采用 d2 的方式，就是利用了“对 RWW 操作时，可以同时对 NRWW 区进行读 操作” 的特点。它减少了更新FLASH 的时间。但对NRWW 区更新时，不能采用上面的操作过程。一旦对 NRWW 区中的页进行更新操作（C 后），MCU 将暂停，直到操作完成后，MCU 才读取下一条指令，继续运 行。这是由芯片内部的硬件电路控制，不是由指令控制的。 4.AVR 的BOOTLOAD 功能同其它一些芯片不同，它的 BOOTLOAD 程序没有固化在芯片内部（出厂为空）， 而是需要由用户设计实现（实际上，你第一次下载 BOOTLOAD 程序还必须使用其它的方式编程，如 ISP 、 JTAG 等），因此对一般的用户掌握起来有一定的困难，不如一些其它芯片的 BOOTLOAD 使用方便。但对高 手来讲，可以根据实际需要编写高级、高效、专用的 BOOTLOAD 程序，如从一个 U 盘读取数据，更新用户 的应用程序；编写一个时间炸弹，或对用户的密码进行验证，10 次不对则将系统程序销毁等等。简单意味着 使用方便，但灵活和适应性差，而灵活性需要你具备更高的能力去驾驭它。可能会有一天，在单片机的系统上 也出现了“病毒”程序，其原因就是使用了固化的 BOOTLOAD 程序。由于固化的程序必须有统一开放的接口， 那么用一个带“病毒” 的应用程序更新原来的应用程序也就轻而易举了。 5.一般情况下，不提倡用 B 更新 B ，一旦把B 中的BOOTLOAD 程序破坏了，那么整个 BOOTLOAD 的功能便 无法实现了。其整个概念为，“B 区可以自编程，但不要把 B 区中的BOOTLOAD 程序破坏” ！给2 个设计参 考。 a.设置 B 区为 1024 字，其低 768 字为中断向量区和中断服务程序及其他程序，高 256 字为 BOOTLOAD 程 序。此种情况，可以运行高 256 字的 BOOTLOAD 程序，更新低 768 字中的程序。 b.BOOTLOAD 程序也要更新的设计： 必须将 bootload 程序限制在一个规定的长度以内，假定为 256 字。 B 区设置为 1024 字，前 512 字为中断向量区和中断服务程序，接下来的 256 字空间保留，准备放新的 BOOTLOAD 程序，最后 256 字为当前的 BOOTLOAD 程序。 当需要更新BOOTLOAD 程序时，使用当前的 BL 程序将新的 BL2 程序写入保留的 256 字空间，并同时更新应 用程序转入