CdSe纳米制备方法的研究进展.pdfVIP

W } 及 下 〔口 州 〔L O 二丫 M F } A T IOW 高 断 技 术 Cd Se 纳 米 制 备 方 法 的 研 究 进 展 近年来，半导体纳米位子的研究引起国内 沉沈后离心得到宽约2n m ，长 l onm 的纳米 溶液进行直流电电化学沉健，在阳极氧化铝模 外研究者的广泛兴趣 ，其研究内容涉及物理、 棒。 板上合成了与模板孔径一直的直径 60 nm 均 化学，材料等多学科 ，已成为一门新兴的交叉 匀 的 多 晶硒 化镊 纳 米线 阵 列 。 学科。半导体纳米粒子又称量子点(Quant u m 2 溶液沉淀法 Dot s , QDs) ，主要是由 if- IV 族元素 Cd Se, 1994 年Chen Chia- Ch un 等把氮化锡和 B 光化学法 CdTe, CdS , ZnSe 等)和 III - V 族元素(如 硒化钠分别溶于澳化十六烧三 甲胺和水形成的 2001 年朱俊杰小组用氯化锡和硒代硫酸 InP , InA s 等)组成的纳米晶体 ，目前研究较 胶束溶液 各加人环己烷后超声 lomin ，将硒化 钠在配位试剂次氮基三乙酸下，锢灯照射下合 多的主要是 Cd ( = S , Se , Te) , 垦子点 钠溶液缓慢注人氮化镐胶束溶液 加热下连续 成了尺寸大约 7n m 的硒化福纳米晶。2003 年 在紫外或可见光照射下，吸收光子后价带上电 超声而获得溶解性硒化镇纳米棒，可通过环己 Hu Yang 等在聚合物PVP 溶剂体系下用氯化 子跃迁到导带，电子可以再跃回到价带，放出 烷的盒来控制尺寸比.2001年Peng iaogan g 镐和亚硒酸钠在 v 射线 煦射下合成了孔径 光子，发射波长 由带隙决定。硒化镶纳米由干 等使用一锅合成法，把氧化锅, 氧化三辛基瞬. 25- 180nm_ 壁厚3- 7n m 的CdSe 纳米空心 是子局限效应，带限的可调性，可通过控制颖 己麟酸和十八麟酸制得无色均匀溶液，引入硒 结构。同年 Yan Y u - Li n 等把醋酸镊溶于 粒的大小得到不同颜色的产物川，同时具有激 溶液获得优质硒化锡纳米晶。该方法重复性 水，与柠檬酸钠形成福前体溶液，加入亚硫酸 发光in 宽 ，发射光谱呈对称分布且宽度窄，光 好，简单，具有 良好的单分散性 ，不需要尺寸 钠、硒粉和澳化十六烷基三 甲基胺 ，不停镜 化学稳定性高 ，不易光解等有点。在化学催 分 离 。相对金 属 有机合 成 法能 合成 小于 2 n m 拌下室温高压汞灯照射 4 天合成大约5n m 的 化、电子器件ut 、生物探针i3等方面有着广泛 的纳米晶 但是不能合成更大尺寸的硒化锦纳 硒化4 纳来晶。Yang Qin g 等于室温下用亚 的 应 用 前 景 。许 多方 法 已经 成 功 的应 用 于 米 颖粒 。同年 该小组 使用 脂肪酸 、胺 、腆酸和 硒酸钠作为硒源和硫酸镐在氮水存在下 通过 C d Se 纳米 的合成 。 氧化麟作为配体和溶剂，含镊的有机、无机弱 丫照射发生反应成 功的合成 了硒化锡纳米 酸 盐(例如碳 酸镊 、醋酸福 ) 都可 以合成 高质量 晶. 2004 年Zhao Wen - bao 等用用氮化锡 ，金属有机法 的硒化镐纳米晶。说明可以使用脂肪酸、胺、 和硒代亚硫酸钠分别作为锡源和硒源 ，次氮基 1993年C.B.Murra