22低色温高显色性大功率白光LED的制备及其发光特性研究.pdfVIP

光 电 子 ·激 光 第 17 卷 第 12 期 　2006 年 12 月 Vol . 17 No . 12 　Dec . 2006 　　　　　 J ou r n a l o f Op t oelect r onics ·L aser 　　　　　　　 低色温高显色性大功率 白光 L ED 的制备及其发光 特性研究 1 1 1 ,2 郑代顺 , 钱可元 , 罗 　毅 ( 1. 清华大学深圳研究生院 ,半导体照明实验室 ,广东 深圳 518055 ; 2 . 清华大学电子工程系 ,集成光电 子学国家重点实验室 ,北京 100084) 摘要 :用 GaN 基大功率蓝光L ED 芯片作为激发光源 ,分别用荧光粉转换法和红光L ED 补偿法制备了不 同相关色温及显色指数的白光 L ED 。对器件的发光特性研究表明 ,采用蓝光 L ED 芯片激发单一黄色荧 光粉 ,虽可以获得光通量和发光效率较高的白光L ED ,但其色温较高 ,显色性较差 ;在黄色荧光粉中添加 红色荧光粉 , 由于光谱中红色成分的增加 ,可降低器件的色温 ,并提高器件的显色性 ,但由于 目前红色荧 光粉的转换效率较低 ,致使器件的整体发光效率不高 ;采用蓝光 L ED 芯片激发黄色荧光粉 , 同时用红光 L ED 进行补偿 ,通过调整蓝光和红光 L ED 芯片的工作电流以及荧光粉的用量 ,可获得低色温和高显色 性白光 L ED ,而且整体发光效率较高 。 关键词 :大功率白光 L ED ; 低色温 ; 高显色性 ; 发光特性 中图分类号 : TN 383 　　文献标识码 :A 　　文章编号 :(2006) Fabrication and Luminescence Characteristics Studies of the Highpower White L EDs with Low T and High R c a ZH EN G Daishun1 , Q IAN Keyuan1 , L U O Yi1 ,2 ( 1. Graduat e School at Shenzhen , Tsinghua U niver sit y ,Shenzhen 518055 ,China ; 2 . St at e Key L aboratory of Int egrat ed Op toelect ronics , Tsinghua U niver sit y ,Beij ing 100084 ,China) Abstract : GaNba sed blue L ED chip s w er e used a s exciting light source ,highpow er whit e L ED s with differ ent corr elative color t emp eratur e ( T ) and r endering index ( R ) w ere c a fabricat e d through p ho sp hor conver sion and r e d L ED comp e