高失配半导体薄膜材料纳米异质外延新技术.pdfVIP

维普资讯 专家论坛 Expe~ Forum -__ L— E=1 IaJ失配半导体薄膜材料的 纳米异质外延新技术 陈长春，刘江锋，余本海，戴启润 (河南省信阳师范学院 物理与电子工程学院，河南 信阳 464000) 摘要：纳米异质外延技术是制备高失配半导体薄膜的一种纳米制作技术路线，随着超大规模集成 电路纳米图样加工技术的进步，它将在制备无缺陷密度且单晶品质完美的高失配半导体薄膜材料 中发挥 巨大的作用。详细地综述了纳米异质外延技术的原理，介绍了纳米 图样制作技术并展示了 运用纳米异质外延技术在 Si(111)衬底上实现高失配 GaN (失配度为 20％)薄膜材料及在 Si (100)衬底上实现 InP薄膜材料的高品质单晶外延生长。 关键词：纳米异质外延；应变；晶格失配薄膜材料 - 中图分类号：TN3o4 文献标识码 ：A 文章编号 ：1671—4776 (2007)05—0219．06 Nan0heter0epitaxialNew Technology forHigh M ismatched Semiconductor Thin Film M aterials CHENChang—chun，LIUJiang—feng，YUBen—hai，DAIQi—run (CollegeofPhysics ElectronicEngneering，XinyangNormalUniversity，Xinyang4~000，China) Abstract~Nanoheteroepitaxial techonology isananofabrication routeto improved high mismatched semiconductorthin film materials．W ith thefurtheradvance in thefabrication tehcnology ofnano— pattern，muchattention willbepaidtonanoheteroepitaxyforthegrowthofhigh qualityheteroepi— taxial film on Sisubstrate．Both the fundamentalprinciple ofnanoheteroepitaxial techno—logy and various methods ofrfabricating nano—pattern on substrate are overviewed．In addition，the high qualitymismatched (20％)GaN film with dislocation—freegrownonSi(111)substrateand InP film onSi(100)substratesfabricatedbynanoheteroepitaxyalsodemonstrateditsavailability． Key words：nanoheteroepitaxy；strain；mismathced thinfilm materials 技术追求的目标。在实现这些 目标的过程 中，信息 1 引 言 载体正 由电子向光电子结合和光子方 向发展。与此 当今社会是一个多媒体信息社会，近年来移动 相应，信息材料也从体材料发展到薄层、超薄层异 电话、因特网、电子邮