FeCuNbSiB多层膜的磁化特性与巨磁阻抗效应.pdfVIP

维普资讯 第 13卷第6期 功能材料与器件学报 Vo1．13．No．6 2007年 12月 J0URNAL OFFUNCTIONALMATERIALSAND DEVICES Dec一20o7 文章编号：1007—4252(2007)06—0666—05 FeCuNbSiB多层膜的磁化特性与巨磁阻抗效应 林宏，袁望治，赵振杰 ，程金科 ，辛宏梁 ，吴志明，阮建中，杨燮龙 (华东师范大学物理系，上海200062) 摘要：用射频磁控溅射法制备 了FeCuNbSiB多层膜，制备态样 品的GMI效应在驱动电流频率为 12MHz时达到最大，为44．3％。利用复数磁导率和等效电路讨论 了该多层膜的磁化过程，及与 GMI效应的关系。外加直流磁场抑制磁畴运动，在等效电路中与抵消并联电路相关。样品磁化的 特征弛豫频率在 12MHz左右，与出现最大磁阻抗变化的频率接近。 关键词 ：巨磁阻抗效应；磁导率；弛豫频率；等效电路 中图分类号：0482．5；0442；4084 文献标识码 ：A Magnetizationprocessesandgiantmagneto——impedance effectinfeCuNbSiB multilayeredflims LINHong，YUANWang—zhi，ZHAOZhen-jie，CHENGJin—ke，XINHong—liang， WUZhi—ming，RUANJian—zhong，YANGXie—long (DepartmentofPhysics，EastChinaNormalUniversity，Shanghai200062，China) Abstract：FeCuNbSiBmultilayeredflimsareprepraedbyradio~equency(RF)sputtering．Theas—cast samplehasamaximum GMIratioof44．3％ at12MHz．Complexpemr eabilityandequivalentcircuitsare usedtodemonstratethemagnetizationprocesses，whichraerelevanttoGMIeffect．DCappliedfieldisto produceadampingindomainwallmovements，whichisresponsiblefortheminusparallelRLarm ine— quivalentcirCuits．Therelaxation~equencyofthesampleisabout12MHz，nearwhich themxaimum GMIhappens． Keywords：giantmagneto—impedanceeffect；pemr eability；relxaation~equency；equivalentcirCuits O 引言 研究 已从 Co基材料 ，扩展到 以FeCuNbSiB及 NiFe等为代表的Fe基材料 ，结构方面也从单一 巨磁阻抗(GMI)效应 自发现以来，由于其高灵 结构 (如丝、薄带、膜)发展到复合结构丝 和复合 敏度、低饱和磁场和无磁滞等特点及技术应用的前 结构薄膜 等。复合结构薄膜中，加入绝缘层的 景，引起人们的广泛关注。近年来，对 GMI效应的 收稿 日期：2006—