金属基带上的氧化物过渡层研究.pdfVIP

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2017-09-01 发布于安徽
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金属基带上的氧化物过渡层研究.pdf

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第31卷第5期低温物理学报 V01．31。No．5 200 December2009 9年12月 CHINESE OFLOWTEMPERATUREPHYSICS JOURNAL 金属基带上的氧化物过渡层研究柴刚张飞宋晓科张宁熊杰陶伯万电子薄膜与集成器件国家重点实验室电子科技大学锻电子与固体电子学院成都610054 (YYC)高温超导过渡层薄膜．研究表明，传统的CeOz过渡层易于制备单一C轴取向的薄膜，工艺窗口较宽，而制备 Yz()3完全C轴取向薄膜的工艺窗口较窄，但表面形貌较ce02致密平整，其在发挥种子层作用的同时，对基带金属原子的扩散也起到了阻挡作用．通过直流溅射法在CYC和YYC上制备YBCO超导层，所获得的单面最高J，分别 MA／61112．为0．75MA／cmz和1．3MA／cm2，双面最高L分别为0．55MA／cm2和1．0 关键词：直流磁控反应溅射，Ce02／YSZ／CeOz，Yz03／YSZ／CeOz，J。 DEPOSITIONOFOXIDEBUFFERLAYERONTEXTURED METALSUBSTRATEFoRCoATEDCoNDUCTORS CHAI ZHANGFei SONGXiao-keZHANG Gang Ning XIONGTAOB旷wall Jie State Electronic珏抽Filmsand Devices．School KeyLaboratoryof Integrated of MicroelectronicsandSolid—StateElectronics610054 Chengdu this were direct- [Abstract]In Y203／YSZ／Ce02(YYC)filmsdeposited paper，CeQ／YSZ／Ce()2(CYC)and by currentreactive ascoatedconductorbuffer onNi-W5％substrate．Theresultsindicated rnagnetron layers sputtering that with maxisorientationwas toobtainandthe windowwasbroad．The C如bufferlayer strictly easy process window{orYz buffer was narrow．However，the03filmsurface wassu— process 03 layerrelatively Yz morphology tO as Ce02filmseed metalsubstrateatomwasblocked Y2Q perior layer．M